[发明专利]喷墨打印头及其制造方法和装配有喷墨打印头的绘图设备有效
申请号: | 201410393734.0 | 申请日: | 2014-08-12 |
公开(公告)号: | CN104369543B | 公开(公告)日: | 2017-11-14 |
发明(设计)人: | 森茂;金子节夫;浅田秀树 | 申请(专利权)人: | NLT科技股份有限公司 |
主分类号: | B41J2/16 | 分类号: | B41J2/16;B41J2/01 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人: | 黄刚,车文 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 喷墨 打印头 及其 制造 方法 装配 绘图 设备 | ||
1.喷墨打印头的制造方法,包括:
在基板上形成分离辅助层;
在所述分离辅助层上形成加热电阻器、薄膜晶体管和用于喷出液体的喷嘴;
将所述分离辅助层从所述基板分离;
在所述分离辅助层的与所述喷嘴相反的表面上形成第一热传导层;和
形成墨供给口,所述墨供给口用于将墨从所述喷墨打印头的第一热传导层侧供给到所述喷嘴,
其中在形成所述加热电阻器、所述薄膜晶体管和所述喷嘴中,在形成所述薄膜晶体管的活性层之后,进行形成所述第一热传导层。
2.根据权利要求1所述的制造方法,
其中形成所述墨供给口包括:
形成从所述喷嘴延伸到所述分离辅助层的第一通道;
在所述第一热传导层中形成第二通道;和
将所述第一通道和所述第二通道连接在一起,以形成所述墨供给口。
3.根据权利要求1所述的制造方法,
其中形成所述加热电阻器、所述薄膜晶体管和所述喷嘴包括:通过制备无定形硅层且用激光照射以使所述无定形硅层结晶,从而形成所述薄膜晶体管的活性层。
4.喷墨打印头,包括:
分离辅助层,所述分离辅助层被形成为从安放在所述分离辅助层的下方的基板分离;
在所述分离辅助层上的加热电阻器;
在所述分离辅助层上的薄膜晶体管;
在所述分离辅助层上的用于喷出液体的喷嘴;
在所述分离辅助层的与所述喷嘴相反的表面上作为所述基板的替代而安放的第一热传导层;
用于将墨供给到所述喷嘴的墨供给口,其中所述第一热传导层占据除所述墨供给口之外的空间,并且其中所述第一热传导层的厚度大于所述分离辅助层的厚度;和
安放在所述薄膜晶体管的下方的底涂层膜,
其中所述分离辅助层和所述底涂层膜中的每个由具有比所述第一热传导层的热传导率低的热传导率的材料制成。
5.根据权利要求4所述的喷墨打印头,进一步包括至少一个第二热传导层,所述至少一个第二热传导层在所述加热电阻器和所述分离辅助层之间延伸,并且所述至少一个第二热传导层包括安放在所述加热电阻器的下方的区域,每个所述区域的面积大于对应的加热电阻器的面积。
6.根据权利要求5所述的喷墨打印头,
其中所述至少一个第二热传导层是如下之一或两者:
在所述薄膜晶体管的栅绝缘膜和安放在所述薄膜晶体管的下方的底涂层膜之间延伸的所述第二热传导层;和
在层间绝缘膜和所述栅绝缘膜之间延伸的所述第二热传导层,所述层间绝缘膜将所述薄膜晶体管的栅极与所述薄膜晶体管的源极和漏极分离。
7.根据权利要求6所述的喷墨打印头,
其中所述至少一个第二热传导层延伸直至所述喷墨打印头的端部,并且所述至少一个第二热传导层具有暴露到喷墨打印头的外部的部分。
8.根据权利要求6所述的喷墨打印头,
其中所述至少一个第二热传导层由与所述栅极的材料相同的材料的膜形成,或者由与所述薄膜晶体管的活性层的材料相同的材料的膜形成。
9.根据权利要求4所述的喷墨打印头,
其中所述薄膜晶体管的活性层包括多晶硅、宽带隙半导体和多晶碳化硅中的一种。
10.根据权利要求9所述的喷墨打印头,
其中所述薄膜晶体管的所述活性层包括通过在无定形硅层上进行的激光退火而结晶的多晶硅。
11.一种绘图设备,所述绘图设备包括根据权利要求4所述的喷墨打印头。
12.根据权利要求11所述的绘图设备,
其中多个所述喷墨打印头布置成一行或更多行。
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