[发明专利]波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构的制作方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)在衬底(0)上依次外延生成缓冲层(1)、第一渐变限制层(2)、第一波导层(3)、第二波导层(4)、第一量子阱垒层(5)、量子阱有源层(6)、第二量子阱垒层(7)、第三波导层(8)、腐蚀停止层(9)、第四波导层(10)、第二渐变限制层(11)以及欧姆接触层(12)；

2)按照脊波导加工方法，首先在欧姆接触层(12)上涂覆2μm厚的光刻胶并于88-92℃范围内进行烘烤，再通过曝光显影于欧姆接触层(12)上作出光刻胶图形并于118-122℃范围内进行烘烤，在该光刻胶掩蔽下，利用H₂SO₄/H₂O₂/H₂O腐蚀液腐蚀掉欧姆接触层(12)、渐变限制层(11)、波导层(10)，直至腐蚀停止层(9)之上，以加工成脊型双沟台面结构，然后在整个脊型双沟台面结构上淀积250nm厚的绝缘介质层(13)，并利用光刻方法和腐蚀方法在台面欧姆接触层(12)上开设出窗口；

3)之后，在欧姆接触层(12)上溅射2μm厚 的TiPtAu层，制作P型上电极(14)；

4)然后减薄并抛光衬底(0)至100μm，制作N型下电极(15)，得到所述激光器芯片结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)中所述外延生成的方法为分子束外延法或金属有机化合物化学气相淀积法。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2) 中所述光刻胶图形的宽度为50μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述H₂SO₄/H₂O₂/H₂O的体积比为5:40:200。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)中所述窗口的宽度为45μm。