[发明专利]在GaAs单晶衬底上制备CdZnTe外延膜的方法在审
| 申请号： | 201410394799.7 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN104153001A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 查钢强;蔺云;高俊宁;汤三奇;张昊;李嘉伟;介万奇 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学;陕西迪泰克新材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B23/02;C30B23/06 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gaas 衬底 制备 cdznte 外延 方法 | ||
1.一种在GaAs单晶衬底上制备CdZnTe外延膜的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一、将CdZnTe生长源打磨、抛光、清洗后，用氮气吹干，将GaAs(100)衬底化学腐蚀、清洗后，用氮气吹干；
步骤二、将经过步骤一处理的GaAs(100)衬底和CdZnTe生长源放入生长炉腔室，调整CdZnTe生长源与GaAs(100)衬底之间的距离为2～5mm，关闭炉门；
步骤三、首先将炉内抽真空至≤1×10-3Pa，用挡板隔离CdZnTe生长源和GaAs(100)衬底，挡板由步进电机控制，加热衬底GaAs(100)至550℃，除气30min；
步骤四、待衬底GaAs(100)除气后，将炉内温度降至室温，撤去CdZnTe生长源和GaAs(100)衬底之间的挡板，将炉内抽真空至≤1×10-3Pa，将CdZnTe生长源和GaAs(100)衬底加热至300℃，保温1h，通入高纯Ar反复清洗生长腔室后，关闭真空系统，充入Ar至100-300Pa，继续升温，加热GaAs(100)衬底至所需温度490～550℃，加热CdZnTe生长源至所需温度515～580℃，保持CdZnTe生长源与GaAs(100)衬底的温差为30～50℃，当生长时间达到90～150min，停止加热，结束生长；
步骤五、随炉冷却，在降温过程中用挡板隔离CdZnTe生长源和GaAs(100)衬底。
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