[发明专利]一种MEMS工艺中的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410395365.9 | 申请日： | 2014-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN105329846A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 洪培真;杨涛;孟令款;李春龙;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;逢京喜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 工艺 中的 刻蚀 方法 | ||
1.一种MEMS工艺中的刻蚀方法，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成掩膜层；
采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀衬底以形成沟槽；
采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；
采用等离子体刻蚀的方法，去除沟槽底面上的钝化层；
继续刻蚀衬底；
去除钝化层以及掩膜层。
2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述沟槽形成在衬底的半导体层中，继续刻蚀后，沟槽的底部连通。
3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述衬底为复合绝缘层的半导体衬底，在衬底的半导体层中具有空腔；在形成掩膜层后的步骤为：
采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀衬底以形成第一沟槽和第二沟槽，其中，第二沟槽位于空腔之上，第一沟槽的宽度大于第二沟槽，第一沟槽暴露衬底的绝缘层；
采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；
采用等离子体刻蚀的方法，去除第二沟槽底面上的钝化层；
继续刻蚀衬底的半导体层，直至暴露空腔；
去除钝化层以及掩膜层。
4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀继续刻蚀衬底。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的刻蚀方法，其特征在于，采用C4F8等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成CxFy聚合物的钝化层。
6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀的方法，去除沟槽底面上的钝化层，其中，刻蚀气体为SF6/CF4/O2/Ar的组合气体。
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