[发明专利]一种输入为48V的服务器板级电源设计方法无效
申请号: | 201410396008.4 | 申请日: | 2014-08-13 |
公开(公告)号: | CN104111715A | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 王武军 | 申请(专利权)人: | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/26 | 分类号: | G06F1/26 |
代理公司: | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人: | 姜明 |
地址: | 250101 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输入 48 服务器 电源 设计 方法 | ||
技术领域
本发明涉及服务器板级电源设计领域,具体地说是一种输入为48V的服务器板级电源设计方法,将输入电压48V转化为服务器中使用的CPU,Memory以及系统使用的5V,3.3V等电压。
背景技术
有很多电器都是低压直流供电的,但是,最普遍的供电形式是交流220V。那么,这些低压直流电器是怎样工作的呢? 要使它们工作,我们必须解决两方面的问题:如何降低电压,如何将交流电转换为直流电。根据法拉第电磁感应定律制成的变压器,可以降低交流电的电压;交流变直流首先要经过整流电流(一般用桥式整流),为了得到纯净的直流电,还需要滤波电路(一般用电容或电感组成),这样就可得直流电了。
传统服务器电源通过AC/DC电源将220V交流电转化为12V直流电供给服务器使用,在服务器数量较少时,此种方法连接简单,安装方便,实用性强;但是在大型运算中心,服务器机房进行供电时,使用传统12V直流电源应用的弊端就显现出来。首先AC/DC电源转化12V电压效率低于直接转化48V电压,其次,服务器功耗在千瓦左右,使用12V供电,电流达到上百安,电流传输损耗凸显,使用48V供电可以将电流降低到原电流的1/4,电流传输损耗将低为原电流的1/16。最后,P12V供电受传输损耗影响,需要离服务器距离近,对计算机中心的服务器布局影响较大。
发明内容
本专利阐述了一种多级电源应用方法,利用该方法应用开环降压线路,将48V输入电压转化为12V服务器所使用的电源,然后使用此电压对CPU与内存BUCK DC/DC 电源进行供电。此方法设计简单,易于控制,效率损耗低,并且易与板级电源设计。
本专利阐述了一种多级电源应用方法,主要发明内容为:
1、建立一级电源转化方式,通过一种开环高效率的降压线路,利用此线路将服务器板级48V电源降压为12V,此线路对电压控制较低,纹波较大,但服务器线电源线路输入端,对电压精度要求不高;因其开环特性,对电流输出可以满足负载端基本要求;
2、将服务器中功耗大的部分统一供电,将CPU与内存的BUCK线路统筹安排,定义为二级电源,由一级电源独立供电。从而提高高功耗部分的转化效率。
(1)一级电源,使用的电源转发方式,将48V电源转化为12V。48V输入的两级电源设计架构。
(2)一级电源所使用的开环线路,一级其设计线路,此方法外围元器件少,成本低,效率高。
一级电源与二级电源组成电源构架,在一级电源中,通过并联两个电容再并联一个二相变流管即可完成。将服务器中功耗大的部分统一供电,将CPU与内存的BUCK线路统筹安排,定义为二级电源,由一级电源独立供电。
二相变流管主要是由MOSFETQ1和MOSFETQ2组成的串联电路并联MOSFETQ3与MOSFETQ4组成的串联电路来组成的,可在MOSFETQ1与MOSFETQ2的中间连接部位和MOSFETQ3、MOSFETQ4的中间连接部位连接一个电容C2。
本发明的有益效果是:
此方法可实现方式简单,外围元器件少,效率损耗低,没有引用传统的48V转12V的隔离电源设计架构,对成本影响较低;
本发明将用48V电源替代服务器中通用的12V电源,从AC/DC上提高了电源转化效率,并且48V转12V的效率控制在98%左右,从整体上提高了电源的转化效率。
附图说明
下面根据附图对本发明作进一步说明,
附图1是一级电源设计线路图;
附图2是本发明的电源架构示意图。
具体实施方式
根据本方法的主要发明内容:
(1)一级电源,使用的电源转发方式,将48V电源转化为12V。48V输入的两级电源设计架构;
(2)一级电源所使用的开环线路,一级其设计线路,此方法外围元器件少,成本低,效率高。
再根据说明书附图,对本方法做进一步辅助说明。
1、一级电源实现:
如图1所示,为一级电源设计线路,其中Q1~Q4MOSFET需要使用控制IC开启与关断,占空比为25%。C1=C2=36uf, C3=47uf。通过此装置可以将服务器中48V电压降低为12V。
在此的二相变流管包括Q1和Q2组成的串联电路并联Q3与Q4组成串联电路;电容C1与C3并联,再与该二相变流管并联在一起。根据需要,可以在Q1与Q2的中间连接部位和Q3、Q4的中间连接部位连接一个电容C2。在相对于连接电容C2的MOSFETQ3和MOSFETQ4的另一端之间连接有电流表。
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