[发明专利]一种物理气相沉积方法

权利要求书

1.一种物理气相沉积方法，用于在物理气相沉积设备内实现对晶片完成沉积工艺，其特征在于，所述物理气相沉积设备内设置有用于承载晶片的卡盘和压环，所述物理气相沉积设备还包括靶材，所述靶材和激励电源电连接，所述物理气相沉积方法包括以下步骤：

步骤S1，使所述压环叠置在所述晶片上表面的边缘区域，以使所述晶片被固定在所述卡盘和所述压环之间，对所述晶片沉积第一厚度的薄膜；所述激励电源的输出功率为6kW；

步骤S2，使所述压环未叠置在所述晶片上表面的边缘区域，继续对所述晶片沉积第二厚度的薄膜，以实现在晶片的边缘区域镀膜；所述激励电源的输出功率为10kW。

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积方法，其特征在于，在所述步骤S2中，将承载有所述晶片的卡盘下降和/或所述压环上升，以使所述压环和所述晶片存在预设垂直间距。

3.根据权利要求1所述的物理气相沉积方法，其特征在于，所述压环的靠近其环孔的环形区域叠置在所述晶片的边缘区域，用以实现将晶片固定在所述卡盘的上表面上。

4.根据权利要求1所述的物理气相沉积方法，其特征在于，在所述压环的内周壁上且沿其周向间隔设置有多个压爪，每个所述压爪的下表面叠置在所述晶片边缘区域的上表面上，用以实现将晶片固定在所述卡盘的上表面上。

5.根据权利要求4所述的物理气相沉积方法，其特征在于，多个所述压爪占所述压环周向上的周长比例大于50％。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的物理气相沉积方法，其特征在于，所述第一厚度和第二厚度比例的范围在5:1～10:1。

7.根据权利要求2所述的物理气相沉积方法，其特征在于，所述预设垂直间距的范围在5～30mm。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的物理气相沉积方法，其特征在于，在所述步骤S1中，向所述晶片的背面吹热交换气体，并且

在所述步骤S2中，停止向所述晶片的背面吹热交换气体。

9.根据权利要求1所述的物理气相沉积方法，其特征在于，在所述晶片上沉积1μm厚度的金属铜薄膜的工艺参数为：所述步骤S1的工艺时间为100s，所述步骤S2的工艺时间为10s。