[发明专利]一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器

权利要求书

1.一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器包括第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)和两个平衡微带线(4)，介质基板(2)为长方形板体，第一金属印刷层(1)为长方形金属薄板，第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)由上至下依次叠加设置，第一金属印刷层(1)印刷在介质基板(2)上表面的中部，第二金属印刷层(3)印刷在介质基板(2)的下表面，两个平衡微带线(4)呈一字形印刷在介质基板(2)上表面的一侧边缘，且两个平衡微带线(4)分别位于第一金属印刷层(1)的两端，每个平衡微带线(4)的一端与介质基板(2)相对应的一端边缘连接，每个平衡微带线(4)的另一端与第一金属印刷层(1)相对应的一端连接，第一金属印刷层(1)的一侧开有一排金属化过孔(5)，且每个金属化过孔(5)由上至下依次穿过第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)，第二金属印刷层(3)一侧的中部设有第一T形缺陷地结构组，所述第一T形缺陷地结构组包括三个并排设置的第一T形缺陷地结构(6)，所述第一T形缺陷地结构组的两侧分别设有两个第二T形缺陷地结构(7)，每个第一T形缺陷地结构(6)的竖直端与第二金属印刷层(3)的一侧边缘接触，每个第二T形缺陷地结构(7)的竖直端与第二金属印刷层(3)的一侧边缘接触。

2.根据权利要求1所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：每个平衡微带线(4)由第一矩形结构段(4-1)、直角梯形段(4-2)和第二矩形结构段(4-3)首尾依次连接组成。

3.根据权利要求2所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：第一矩形结构段(4-1)的宽度为1.9mm，第二矩形结构段(4-3)的宽度为5mm，直角梯形段(4-2)的短底边的长度为1.9mm，直角梯形段(4-2)的长底边的长度为5mm，直角梯形段(4-2)的长度为60mm。

4.根据权利要求1所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：介质基板(2)的长度为270mm，介质基板(2)的宽度为32.8mm，介质基板(2)的厚度为0.5mm，介质基板(2)的介电常数为2.2。

5.根据权利要求1所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：第一金属印刷层(1)的长度为120mm，第一金属印刷层(1)的宽度为32.8mm，第一金属印刷层(1)的厚度为0.018mm～0.035mm，第二金属印刷层(3)的长度为270mm，第二金属印刷层(3)的宽度为32.8mm，第二金属印刷层(3)的厚度为0.018mm～0.035mm。

6.根据权利要求1所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：每个第一T形缺陷地结构(6)的竖直槽的长度(m1)为11.5mm，每个第一T形缺陷地结构(6)的竖直槽的宽度(W1)为2.4mm，每个第一T形缺陷地结构(6)的水平槽的长度(m2)为4mm，每个第一T形缺陷地结构(6)的水平槽的宽度(W2)为3mm，每个第二T形缺陷地结构(7)的竖直槽的长度(m3)为8mm，每个第二T形缺陷地结构(7)的竖直槽的宽度(W3)为2.4mm，每个第二T形缺陷地结构(7)的水平槽的长度(m4)为4mm，每个第二T形缺陷地结构(7)的水平槽的宽度(W4)为2.2mm。

7.根据权利要求1所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：每个金属化过孔(5)的直径为1.6mm，相邻两个金属化过孔(5)之间的中心距为2.5mm。

8.根据权利要求1所述一种加载T形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，其特征在于：相邻两个第一T形缺陷地结构(6)之间的距离(J)为15mm，相邻两个第二T形缺陷地结构(7)之间的距离(J)为15mm，相邻两个第一T形缺陷地结构(6)和第二T形缺陷地结构(7)之间的距离(J)为15mm。