[发明专利]一种利用自然温差发电的半导体装置

权利要求书

1.一种利用自然温差发电的半导体装置，其特征是：包括升压逆变装置和发电装置，所述发电装置包括半导体温差发电块和分别设置在该发电块两端的金属块。

2.根据权利要求1所述的一种利用自然温差发电的半导体装置，其特征是：所述半导体温差发电块包括半导体发电块、设置在半导体发电块内的接线柱和包覆在半导体发电块外的金属传导体，接线柱两端分别贯穿半导体发电块的上下两端，在半导体发电块和金属传导体之间设有绝热瓷块。

3.根据权利要求1所述的一种利用自然温差发电的半导体装置，其特征是：所述金属块为正温度铜块和负温度铜块。

4.根据权利要求2所述的一种利用自然温差发电的半导体装置，其特征是：所述接线柱上端为正接线柱，下端为负接线柱，接线柱外设有不锈钢圆柱外壳，所述升压逆变装置与正接线柱和负接线柱相连接。

5.根据权利要求1所述的一种利用自然温差发电的半导体装置，其特征是：所述半导体温差发电块与金属块通过固定硅胶固定并封闭。

6.根据权利要求2所述的一种利用自然温差发电的半导体装置，其特征是：所述半导体发电块由至少2片的半导体发电块并联组成。

7.根据权利要求1所述的一种利用自然温差发电的半导体装置，其特征是：所述金属柱一端与半导体温差发电柱埋设在地下，金属柱另一端设置在地面上。