[发明专利]一种生产电子级氢气的方法和装置

权利要求书

1.一种生产电子级氢气的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将多晶硅生产中的尾气经过处理后得到的纯度为99.808～99.945％的氢气通过活性炭吸附剂进行吸附；

(2)使用含有氢氧化钠和高锰酸钾的水溶液进行淋洗，得到电子级氢气。

2.根据权利要求1所述的生产电子级氢气的方法，其特征在于，所述步骤(2)之后还包括步骤(3)通过分子筛和硅胶的混合吸附剂进行吸附。

3.根据权利要求2所述的生产电子级氢气的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述混合吸附剂中的分子筛与氢气的质量比为(5～21)：1，所述混合吸附剂中的硅胶与氢气的质量比为(6～23)：1。

4.根据权利要求1所述的生产电子级氢气的方法，其特征在于，所述步骤(1)中所述通过活性炭吸附剂时，温度为0～40℃，压力为1.2～3.0MPa。

5.根据权利要求1所述的生产电子级氢气的方法，其特征在于，所述步骤(1)中所述活性炭吸附剂与氢气的质量比为(2～16)：1。

6.根据权利要求1所述的生产电子级氢气的方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述含有氢氧化钠和高锰酸钾的水溶液中的氢氧化钠的浓度为5～15wt％，高锰酸钾浓度为0.5～6wt％。

7.根据权利要求1所述的生产电子级氢气的方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述水溶液的溶剂为电导率为18～30MΩ·cm的超纯水。

8.根据权利要求1所述的生产电子级氢气的方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述使用含有氢氧化钠和高锰酸钾的水溶液进行淋洗时，压力为0.8～2.2MPa，温度为5～20℃。

9.一种权利要求1～8任意一项所述的生产电子级氢气的方法所用装置，其特征在于，包括：

装填有活性炭吸附剂的吸附柱，用于吸附多晶硅尾气经过处理后得到的纯度为99.808～99.945％的氢气中的杂质；

淋洗塔，与所述装填有活性炭吸附剂的吸附柱连接，所述淋洗塔用于使用含有氢氧化钠和高锰酸钾的水溶液对氢气进行淋洗。

10.根据权利要求9所述的生产电子级氢气的方法所用装置，其特征在于，还包括装填有分子筛和硅胶的混合吸附剂的吸附柱，与所述淋洗塔连接，所述装填有分子筛和硅胶的混合吸附剂的吸附柱用于再次吸附氢气中残留的杂质。