[发明专利]应用于低温多晶硅加热工艺中的加热装置及加热方法

权利要求书

1.一种应用于低温多晶硅加热工艺中的加热装置，所述加热装置包括：

加热室；

辐射式加热器，设置在所述加热室的外侧，用以向该加热室内提供辐射热量；以及

吸热板，设置于加热室内，所述吸热板能够吸收所述辐射式加热器的辐射热量，并且所述吸热板上能够放置待加热的物件，

其中，当将所述待加热的物件放置在所述加热室中的所述吸热板上并与该吸热板接触时，在所述物件接受所述辐射式加热器的辐射热量的同时，所述吸热板利用所吸收的辐射热量以接触的方式传递给所述物件。

2.根据权利要求1所述的加热装置，其中所述吸热板的比热低于所述物件的比热。

3.根据权利要求2所述的加热装置，其中所述吸热板是由高热传导率的材料形成。

4.根据权利要求1所述的加热装置，其中所述辐射式加热器为多个，并且围绕所述吸热板布置。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的加热装置，其中所述辐射式加热器为红外线加热器。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的加热装置，其中所述加热装置应用于低温多晶硅的快速退火设备中。

7.一种应用于低温多晶硅的加热工艺中的加热方法，所述加热方法包括：

将待加热的物件放置在一吸热板上，并与该吸热板接触；以及

利用辐射加热的方式对所述吸热板和所述物件进行加热，

其中，所述吸热板能够吸收所述辐射式加热器的辐射热量，并利用所吸收的辐射热量以接触方式加热所述物件。

8.根据权利要求7所述的加热方法，其中所述吸热板的比热低于所述物件的比热。

9.根据权利要求8所述的加热方法，其中所述吸热板是由高热传导率的材料形成。

10.根据权利要求7所述的加热方法，其中所述加热方法应用于低温多晶硅的快速退火工艺中。