[发明专利]硅光伏电池的钝化缺陷的光致发光绘图

权利要求书

1.一种检查光伏晶片的方法，包括：

利用激发光相继照射晶片的多个照射区域，同时引起所述晶片与照射之间的相对动作；

探测来自利用激发光相继照射的晶片的多个探测区域的光致发光光；

基于探测到的光致发光光来形成晶片的光致发光强度图；以及

基于光致发光强度图识别晶片中的缺陷，并据此确定关于晶片的信息。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述信息包括识别所述晶片中的缺陷。

3.如权利要求1所述的方法，还包括固定所述照射，并相对所述照射移动晶片。

4.如权利要求1所述的方法，还包括固定晶片，并相对所述晶片移动照射。

5.如权利要求1所述的方法，还包括基于所述光致发光强度图形成所述晶片的发射极饱和电流图。

6.如权利要求5所述的方法，其中，基于所述光致发光强度图、照射光产生率和校准常数来形成所述发射极饱和电流图。

7.如权利要求6所述的方法，还包括试验性地确定所述校准常数。

8.如权利要求1所述的方法，还包括基于所述光致发光强度图形成开路电压图。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述开路电压图基于所述光致发光强度图和所述晶片的平均光致发光强度形成。

10.如权利要求1所述的方法，其中，照射区域的一个维度是晶片的长度，另一维度为大约5mm。

11.如权利要求1所述的方法，其中，照射区域的一个维度是晶片的长度，另一维度为大约8mm。

12.如权利要求1所述的方法，其中，照射区域的一个维度是晶片的长度，另一维度为大约10mm。

13.如权利要求1所述的方法，其中，探测区域的一个维度是晶片的长度，另一维度为大约100μm。

14.如权利要求1所述的方法，其中，探测区域的一个维度是晶片的长度，另一维度为大约150μm。

15.如权利要求1所述的方法，其中，探测区域的一个维度是晶片的长度，另一维度为大约200μm。

16.如权利要求1所述的方法，其中，所述光伏晶片是经钝化的硅光伏晶片。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述激发光具有大约804nm的波长。

18.一种用于检查光伏晶片的系统，包括：

被配置成支撑晶片的工作台；

能量源；

探测器；以及

处理模块；

其中，所述探测器相对能量源固定，并且其中，所述工作台和能量源被配置成彼此相对移动；和

其中，当所述工作台和能量源彼此相对移动时，

所述能量源被配置成利用激发光相继照射晶片的多个照射区域；

所述探测器被配置成探测来自利用所述激发光相继照射的晶片的多个探测区域的光致发光光；并且

所述处理模块被配置成

基于探测到的光致发光光形成所述晶片的光致发光强度图；以及

基于所述光致发光强度图确定关于所述晶片的信息。

19.如权利要求18所述的系统，其中，所述信息包括识别所述晶片中的缺陷。

20.如权利要求18所述的系统，其中能量源固定，且所述工作台适合于相对于所述能量源移动。

21.如权利要求18所述的系统，其中，所述激发光具有大约804nm的波长。

22.如权利要求18所述的系统，其中，所述处理模块被配置成基于所述光致发光强度图形成发射极饱和电流图。

23.如权利要求22所述的系统，其中，所述处理模块被配置成基于所述光致发光强度图、照射光产生率和校准常数来形成所述发射极饱和电流图。

24.如权利要求18所述的系统，其中，所述处理模块被配置成基于所述光致发光强度图形成晶片的开路电压图。

25.如权利要求24所述的系统，其中，所述处理模块被配置成基于所述光致发光强度图和所述晶片的平均光致发光强度形成所述开路电压图。