[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法在审
申请号: | 201410399982.6 | 申请日: | 2014-08-14 |
公开(公告)号: | CN104425553A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 金尚佑;成柱烨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/044 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器包括:
显示基板;
显示元件层,设置在显示基板上并包括多个像素;
薄膜包封层,设置在显示基板和显示元件层上;
延迟膜,设置在薄膜包封层上;
电容图案,设置在延迟膜上;
偏振板,设置在电容图案上;以及
窗口,设置在偏振板上。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,延迟膜是λ/4延迟膜。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,延迟膜包括λ/4延迟膜和设置在λ/4延迟膜上的λ/2延迟膜。
4.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,延迟膜包括环状烯烃聚合物。
5.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,偏振板包括偏振器层和形成在偏振器层上的上支撑件。
6.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,偏振板还包括设置在偏振器层下方的下支撑件。
7.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,偏振器层由聚乙烯醇形成。
8.如权利要求5所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,上支撑件由三乙酰纤维素形成。
9.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,下支撑件由三乙酰纤维素形成。
10.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其特征在于,所述有机发光二极管显示器还包括设置在偏振板和电容图案之间的粘附层。
11.一种有机发光二极管显示器的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
在基础基板上附着延迟膜;
在延迟膜上形成电容图案;
将基础基板与延迟膜彼此分离;以及
在电容图案上附着偏振板。
12.如权利要求11所述的制造方法,其特征在于,偏振板包括偏振器层和设置在偏振器层上的上支撑件。
13.如权利要求12所述的制造方法,其特征在于,偏振板还包括设置在偏振器层下方的下支撑件。
14.如权利要求12所述的制造方法,其特征在于,偏振器层包括聚乙烯醇。
15.如权利要求12所述的制造方法,其特征在于,上支撑件包括三乙酰纤维素。
16.如权利要求13所述的制造方法,其特征在于,下支撑件包括三乙酰纤维素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的