[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410400103.7 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104916694A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 藤本英俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
n型的氮化物半导体层；
绝缘层，选择性地设置在所述氮化物半导体层上；
n型的第一氮化物半导体区域，设置在所述氮化物半导体层上及所述绝缘层上；
n型的第二氮化物半导体区域，设置在所述绝缘层上；
p型的第三氮化物半导体区域，设置在所述第一氮化物半导体区域和所述第二氮化物半导体区域之间；
栅极绝缘膜，设置在所述第三氮化物半导体区域上；
栅电极，设置在所述栅极绝缘膜上；
第一电极，与所述第二氮化物半导体区域电连接；以及
第二电极，设置在所述氮化物半导体层的与所述绝缘层相反的一侧，与所述氮化物半导体层电连接。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述第三氮化物半导体区域设置在所述绝缘层上。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述第一氮化物半导体区域的膜厚比所述氮化物半导体层的膜厚薄。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述第三氮化物半导体区域是外延生长层。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述第三氮化物半导体区域的p型杂质浓度为1×1017cm-3以上且1×1019cm-3以下。
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述绝缘层是硅氧化膜。
7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述第一氮化物半导体区域的n型杂质浓度比所述氮化物半导体层的n型杂质浓度高。
8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
在所述氮化物半导体层和所述第二电极之间设置有n型杂质浓度比所述氮化物半导体层高的n型的氮化物半导体基板。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述第三氮化物半导体区域设置在所述氮化物半导体层上。
10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，
所述第二氮化物半导体区域的n型杂质浓度比所述第一氮化物半导体区域的n型杂质浓度高。
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