[发明专利]沟渠式肖特基二极管

权利要求书

1.一种沟渠式肖特基二极管，包含：一个基板、一个位于该基板上的n型的磊晶层、一个连接该基板的第一电极，以及一个第二电极，该磊晶层包括一个朝向该基板的第一面、一个相反于该第一面的第二面，以及数个自该第二面朝向该第一面凹设的沟槽，其特征在于：该沟渠式肖特基二极管还包含一个金属层以及数个氧化层，该金属层包括数个分别位于所述沟槽的金属填槽部，该金属层的材料功函数大于或等于4.8电子伏特；所述氧化层分别位于所述沟槽并且分别位于每一个金属填槽部与该磊晶层之间；该第二电极位于该磊晶层的第二面上且覆盖该金属层。

2.如权利要求1所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：该金属层的材料为镍、铂、钨、金、银、钒、钼或上述材料的任一组合，该磊晶层为n型多晶硅，该基板为n型的硅基板，且该基板的载子浓度大于该磊晶层的载子浓度。

3.如权利要求2所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：该金属层还包括数个分别位于该磊晶层的第二面上且分别连接于所述金属填槽部间的金属连接部。

4.如权利要求1所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：该第二电极与该金属层的材料相同。

5.如权利要求1所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：该金属层的材料功函数为4.8～5.1电子伏特。

6.如权利要求5所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：所述氧化层的厚度为1500～3000埃，该磊晶层的阻抗值为0.8～5.0欧姆。

7.如权利要求6所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：所述沟槽的深度为1.5～3.0微米，宽度为0.3～1.0微米。

8.如权利要求1至7中任一权利要求所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：该沟渠式肖特基二极管的崩溃电压大于或等于60伏特。

9.如权利要求8所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：该沟渠式肖特基二极管的崩溃电压大于或等于100伏特。

10.如权利要求1所述的沟渠式肖特基二极管，其特征在于：该沟渠式肖特基二极管的崩溃电压大于或等于100伏特，该金属层的材料功函数为4.9～5.1电子伏特。