[发明专利]一种集成微带的薄膜环形器及其制造方法

权利要求书

1.一种集成微带的薄膜环形器，包括以下结构：从底部往顶部依次是微波介质基片(1)、金属底电极(2)、铁磁薄膜(3)、微带环形器Y结(4)，硬磁(5)，其特征是金属底电极沉积在微波介质基片与铁磁薄膜之间。

2.根据权利要求1所述的一种集成微带的薄膜环形器，所述的微波介质基片(1)具体是单晶硅、GaAs、GaN或MgO中的任一种。

3.根据权利要求1所述的一种集成微带的薄膜环形器，所述的金属底电极(2)的材料采用金(Au)、银(Ag)或铜(Cu)。

4.根据权利要求1所述的一种集成微带的薄膜环形器，所述铁磁薄膜(3)的具体材料是单质的金属强磁性材料铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)。

5.根据权利要求1所述的一种集成微带的薄膜环形器，所述铁磁薄膜(3)的具体材料是各种配方的合金永磁材料FeCo、FeNi、FePt、CoPt或SmCo。

6.根据权利要求1所述的一种集成微带的薄膜环形器，所述铁磁薄膜(3)的具体材料是各种亚铁磁性铁氧体材料如钇铁石榴石型铁氧体、镍锌尖晶石型铁氧体或六角磁铅型铁氧体。

7.一种制备如权利要求1所述的集成微带薄膜环形器的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤1，利用脉冲激光沉积(PLD)技

术在基片上沉积2微米厚的金膜；沉积条件为：真空度为5×10-4Pa，基片温度为室温，时间为1小时

步骤2，利用PLD技术在金膜上沉积50微米厚的铁磁薄膜；沉积条件为：真空度为1Pa，基片温度为700℃，时间为40小时.

步骤3，将步骤2得到的铁磁薄膜在退火炉中750℃下退火3小时；

步骤4，将步骤3得到的样品继续利用PLD技术沉积2微米厚的金膜；沉积条件为：真空度为5×10-4Pa，基片温度为室温，时间为1小时

步骤5，将步骤4得到的样品，利用绿光打标机在其表面刻出微带环形器所需要的微带线路。

步骤6，将步骤5得到的样品封装连线，即得到环形器。