[发明专利]栅极驱动器

权利要求书

1.一种栅极驱动器，其放大输入的控制信号以驱动高侧和低侧晶体管的栅极，所述栅极驱动器包括：

高侧驱动芯片，其放大用于控制高侧晶体管的高侧控制信号并将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极；以及

低侧驱动芯片，其放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极，

其中所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子，

所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备，并且

所述低侧驱动芯片包括死区时间控制单元和输出驱动器，所述死区时间控制单元对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号，所述输出驱动器放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并输出被放大的信号。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中所述死区时间控制器基于所述高侧控制信号来对所述低侧控制信号进行死区时间控制。

3.根据权利要求2所述的栅极驱动器，其中所述死区时间控制单元在从所述高侧控制信号被传送时起经过预定时间之后传送所述低侧控制信号。

4.根据权利要求1所述的栅极驱动器，其中所述低侧驱动芯片包括故障逻辑电路，其对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。

5.根据权利要求4所述的栅极驱动器，其中所述低侧驱动芯片包括低电压感测单元，

当栅极的电压低于参考电压时，所述低电压感测单元将低电压感测信号输入至所述故障逻辑电路，

当接收到低电压感测信号时，所述故障逻辑电路对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。

6.一种操作栅极驱动器的方法，所述栅极驱动器包括：高侧驱动芯片，其放大输入的控制信号并驱动高侧晶体管的栅极；以及低侧驱动芯片，其驱动低侧晶体管的栅极，所述方法包括：

放大用于控制所述高侧晶体管的高侧控制信号并且将经放大的高侧控制信号输出至所述高侧晶体管的栅极；

放大低侧控制信号并将经放大的低侧控制信号输出至所述低侧晶体管的栅极；

对所述低侧控制信号进行死区时间控制并生成经死区时间控制的低侧控制信号；以及

放大所述经死区时间控制的低侧控制信号并且输出经放大的所述经死区时间控制的低侧控制信号，

其中所述高侧晶体管的发射极端子连接至所述低侧晶体管的集电极端子，并且

所述高侧驱动芯片独立于所述低侧驱动芯片而制备。

7.根据权利要求6所述的方法，其中对所述低侧控制信号的所述死区时间控制包括基于所述高侧控制信号而对所述低侧控制信号进行死区时间控制。

8.根据权利要求7所述的方法，其中基于所述高侧控制信号而对所述低侧控制信号进行的所述死区时间控制包括在从所述高侧控制信号被传送时起经过预定时间之后传送所述低侧控制信号。

9.根据权利要求6所述的方法，进一步包括对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述软关闭的所述执行包括：当栅极的电压低于参考电压时，对所述高侧驱动芯片和所述低侧驱动芯片的所有操作执行软关闭。