[发明专利]一种量测宽度的方法在审
| 申请号： | 201410400727.9 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104167375A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 刘智敏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽度 方法 | ||
1.一种量测宽度的方法，其特征在于，应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，包括以下步骤：
步骤S1，提供一设置有器件区的半导体衬底，于所述半导体衬底上旋涂光刻胶后，采用EBR/WEE去除所述半导体衬底边缘多余的光刻胶，以形成环绕所述器件区的EBR/WEE区域；
步骤S2，沿所述半导体衬底的中心点向外散射的方向上设置一量测区域，该量测区域从所述器件区延伸至所述EBR/WEE区域；
步骤S3，采用打点的方法在所述量测区域形成若干量测点，对位于所述若干量测点下方的半导体衬底的厚度进行量测；
步骤S4，将量测所得的厚度结果进行分析，得出若干跳跃值，并获取若干跳跃值所对应的量测点中距离半导体衬底边缘最近的量测点，则该量测点与所述半导体衬底边缘的最短距离为量测宽度值；
步骤S5，将量测宽度值结果上传至统计过程控制程序进行管控。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述量测区域为一条直线。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述量测点于所述直线上均匀分布。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在光阻厚度量测机台中进行所述步骤S2-S4。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，于所述半导体衬底上选取若干量测区域量测，并依次进行步骤S2-S4计算出量测结果，得到整个半导体衬底的EBR/WEE状况。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述跳跃值为2500-2700埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述跳跃值与所述器件区任一点厚度的吻合度大于0.98。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
