[发明专利]一种基于双图案的半导体器件及其制造方法、电子装置有效
| 申请号： | 201410401106.2 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105336583B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 胡华勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 图案 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
1.一种基于双图案的半导体器件的制造方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有掩膜叠层，所述掩膜叠层包括位于最上方的图案化的含硅光刻胶层；
步骤S2：选用氧基等离子体对所述含硅光刻胶层进行氧化处理，以在所述含硅光刻胶层的表面形成氧化物层，同时未被氧化的所述含硅光刻胶层形成光刻胶核；
步骤S3：回蚀刻所述氧化物层的顶部，以露出所述光刻胶核；
步骤S4：去除所述光刻胶核，以在所述氧化物层中形成开口；
步骤S5：以所述氧化物层为掩膜蚀刻所述半导体衬底，将图案转移至所述半导体衬底中。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述氧基等离子体对所述含硅光刻胶层进行氧化处理的离子扩散角为-70°～70°。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，在所述氧化处理之后，在所述含硅光刻胶层的表面形成交联氧化物层SiOx。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述回蚀刻选用各向异性的反应离子蚀刻。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述回蚀刻选用CxFy的蚀刻气氛。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S4中，通过湿法剥离的方法去除所述光刻胶核。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述含硅光刻胶层的图案化方法包括：对所述含硅光刻胶层使用无掩模曝光，并在曝光后进行烘烤。
8.根据权利要求1或7所述的方法，其特征在于，选用TMAH进行湿法剥离以去除所述光刻胶核。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述掩膜叠层包括依次形成的硬掩膜层、底部抗反射层和所述含硅光刻胶层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤S5包括：
步骤S51：以所述氧化物层为掩膜蚀刻所述底部抗反射层，以打开所述底部抗反射层；
步骤S52：以所述氧化物层和所述底部抗反射层为掩膜蚀刻所述硬掩膜层和所述半导体衬底，以将所述图案转移至所述半导体衬底中。
11.一种基于权利要求1至10之一所述的方法制备得到的半导体器件。
12.一种电子装置，包括权利要求11所述的半导体器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
