[发明专利]一种反应腔室及半导体加工设备

权利要求书

1.一种反应腔室，包括卡盘和等离子产生装置，所述卡盘设置在所述反应腔室内，用于承载基片；所述等离子体产生装置用于产生等离子体并向所述反应腔室内输送等离子体，其特征在于，所述反应腔室还包括支撑件，所述支撑件用于支撑所述等离子体产生装置，以实现所述等离子体产生装置贯穿所述反应腔室的顶壁且与所述卡盘以预定距离相对设置。

2.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，还包括升降驱动器，所述升降驱动器用于驱动所述支撑件升降，以带动所述等离子体产生装置在所述卡盘和所述反应腔室的顶壁之间进行升降，以调节所述等离子体产生装置与所述卡盘上表面之间的预定距离。

3.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑件包括固定支架、固定板和丝杠，其中，所述固定板设置在所述反应腔室内，所述等离子体产生装置固定在所述固定板上；所述固定支架固定设置在所述反应腔室的顶壁上方；所述升降驱动器设置在所述固定支架上，所述丝杠贯穿所述反应腔室的顶壁，且其两端分别与所述升降驱动器和所述固定板连接；

所述升降驱动器用于驱动所述丝杠旋转，以实现所述等离子体产生装置进行升降。

4.根据权利要求3述的反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室的顶壁与所述固定板之间的所述丝杠上套置有波纹管。

5.根据权利要求3所述的反应腔室，其特征在于，在所述丝杠贯穿所述反应腔室顶壁的对应位置处还设置有导向轴承，所述导向轴承用于对所述丝杠实现导向。

6.根据权利要求2所述的反应腔室，其特征在于，所述升降驱动器的数量为至少两个，且所述至少两个升降驱动器同步驱动。

7.根据权利要求2或6所述的反应腔室，其特征在于，所述升降驱动器包括电机或气缸。

8.根据权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述支撑件包括固定支架、固定板和支撑柱，其中，所述固定板设置在所述反应腔室内，所述等离子体产生装置固定在所述固定板上；所述固定支架固定设置在所述反应腔室的顶壁上方；所述支撑柱贯穿所述反应腔室的顶壁，且其两端分别与所述固定板和所述固定支架固定连接；所述固定支架通过所述支撑柱和所述固定板支撑所述等离子体产生装置。

9.根据权利要求8所述的反应腔室，其特征在于，在所述反应腔室的顶壁与所述固定板之间的所述支撑柱上套置有波纹管。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求1-9任意一项所述的反应腔室。