[发明专利]高输出功率数模转换系统有效
申请号: | 201410401228.1 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN104426552B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | B·谢佛;赵冰 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 并行 高输出功率 混合结构 可编程 峰值输出功率 数模转换系统 共源共栅级 数模转换器 电流输出 集成电流 集成信号 射频应用 组合输出 输出 高速DAC 电流源 高效率 高量 | ||
1.一种数字-模拟转换器(DAC),该DAC包括:
M个并行DAC核心,其中:
M是大于或等于4的整数;
每个DAC核心都将数字输入信号转换为模拟输出信号;
每个DAC核心包括两个差分输出;以及
相同的输入数字字被提供作为所述M个并行DAC核心中的每个的数字输入信号;以及
共源共栅级,包括M个并行共源共栅,每个共源共栅都并行地直接连接到所述M个并行DAC核心中相应的DAC核心的所述两个差分输出,用于组合所述M个并行DAC核心的输出,以提供总的模拟输出。
2.根据权利要求1所述的DAC,其中,M大于或等于8。
3.根据权利要求1所述的DAC,其中:
所述M个并行DAC核心使用下列的任意一种或多种构建:互补金属氧化物半导体(CMOS)技术、双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)以及绝缘体上硅(SOI);以及
所述共源共栅级包括砷化镓(GaAs)共源共栅和/或氮化镓(GaN)共源共栅。
4.根据权利要求1所述的DAC,其中:
所述M个并行共源共栅每个都直接通过迹线网络连接到对应的并行DAC核心。
5.根据权利要求1所述的DAC,其中:
所述M个并行DAC核心包括M个差分输出对或2M个差分输出;
所述M个并行共源共栅中每一个包括差分输入对或2个差分输入;以及
所述M个并行DAC核心的M个差分输出对或2M个差分输出通过迹线网络分别直接连接到所述M个并行共源共栅的M个差分输入对或2M个差分输入。
6.根据权利要求1所述的DAC,其中:
所述M个并行DAC核心被组合为成对的2并行DAC,在DAC的硬件布局中作为M/2个双DAC。
7.根据权利要求6所述的DAC,其中:
M个并行DAC中的每个都包括(1)电流源阵列,以及(2)切换池和切换驱动器;和
(1)电流源阵列和(2)切换池和切换驱动器在DAC的硬件布局中被布置在M/2个双DAC的外部区域中。
8.根据权利要求6所述的DAC,其中:
每个双DAC包括DAC解码器和高速多路转换器;以及
DAC解码器和高速多路转换器在各个双DAC的两个并行的DAC之间共享。
9.根据权利要求6所述的DAC,其中:
每个相邻的双DAC的硬件布局被翻转,以补偿定时偏移和/或梯度。
10.根据权利要求6所述的DAC,还包含:
每个双DAC的硬件布局具有N个单元的阵列,用于接收和处理以N位的特定顺序布置的数字字的N位;以及
对于双DAC,N个单元的阵列处理的N位的特定顺序在常规顺序和颠倒顺序之间交替。
11.根据权利要求6所述的DAC,其中:
每个双DAC的硬件布局具有X+Y个单元的阵列,用于接收和处理X个最低有效位和Y个最高有效位;
X+Y个单元的阵列包括布置在所述硬件布局中的顶部部分、中间部分以及底部部分;
用于接收和处理最低有效位的单元被分配在顶部部分和底部部分;以及
用于接收和处理数字输入字的最高有效位的单元被分配在中间部分。
12.根据权利要求6所述的DAC,其中:
每个双DAC的硬件布局都具有N个单元的阵列,用于接收和处理数字输入字的N位;
对于每隔一个的双DAC,N个单元的阵列接收和处理以N位的第一顺序布置的N位;
对于其它双DAC,N个单元的阵列接收和处理以N位的第二顺序布置的N位;以及
其中所述第二顺序与所述第一顺序互补。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国亚德诺半导体公司,未经美国亚德诺半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410401228.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种射频发射器及电子设备
- 下一篇:一种模数转换采样电路和计量芯片