[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410403208.8 | 申请日: | 2014-08-15 |
公开(公告)号: | CN104570524B | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
发明(设计)人: | 金炫佑;朴锺贤;郑圣勋 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1333;G06F3/041 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 顾晋伟,董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
栅极线和数据线,所述数据线与所述栅极线交叉以在基板上限定像素区域;
薄膜晶体管(TFT),所述TFT形成在所述像素区域中并且包括栅电极、半导体层、源电极和漏电极;
第一保护层,所述第一保护层形成在所述TFT上,所述第一保护层构造为使得存在有穿过所述第一保护层的第一孔;
第二保护层,所述第二保护层形成在所述第一保护层上,并且构造为使得存在有穿过所述第二保护层的第二孔,其中穿过所述第二保护层的所述第二孔在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的平面处的尺寸不同于穿过所述第一保护层的所述第一孔在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的所述平面处的尺寸;
像素电极,所述像素电极形成在所述第二保护层上并且至少部分地填充所述第一孔和所述第二孔,所述像素电极穿过所述第一孔和所述第二孔连接至所述漏电极;
形成在所述像素电极上的第三保护层;
形成在所述第三保护层上的感测线;
形成在所述感测线上的第四保护层;以及
公共电极,所述公共电极形成在所述第四保护层上并且连接至所述感测线,
其中所述感测线交叠所述数据线并且包括突出到所述TFT的接触部,并且通过所述接触部连接至所述公共电极,
其中所述接触部接触所述第三保护层和所述第四保护层。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的所述平面处,所述第一孔的尺寸小于所述第二孔的尺寸,并且其中所述像素电极接触所述第二保护层的侧面以及所述第一保护层的顶部和侧面。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中在所述第一保护层和所述第二保护层彼此接触的所述平面处,所述第一孔的尺寸大于所述第二孔的尺寸,并且其中所述像素电极接触所述第二保护层的侧面而不接触所述第一保护层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
多个附加感测线;和
多个附加公共电极,
其中所述多个附加感测线按照一对一的对应关系连接至所述多个附加公共电极。
5.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
连接至所述栅极线的一端的栅极焊盘;
连接到所述数据线的一端的数据焊盘;
栅极焊盘电极,所述栅极焊盘电极形成在所述第四保护层上并且连接至所述栅极焊盘;以及
数据焊盘电极,所述数据焊盘电极形成在所述第四保护层上并且连接至所述数据焊盘,
其中所述栅极焊盘电极和所述数据焊盘电极由与所述公共电极相同的材料形成。
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