[发明专利]改善PMOS器件性能的离子注入方法有效
| 申请号： | 201410403757.5 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104157575B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 桑宁波;雷通;李润领;关天鹏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 pmos 器件 性能 离子 注入 方法 | ||
1.一种改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于包括依次执行下述步骤：
在硅基板上形成由隔离区隔开的至少一个第一晶体管区域和至少一个第二晶体管区域，在第一晶体管区域上形成有第一栅极，在第二晶体管区域上形成有第二栅极；
在硅基板上淀积一层氮化硅层，使氮化硅层将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部均匀覆盖；
在硅基板上旋涂光刻胶以将第一晶体管区域、第二晶体管区域及第一栅极、第二栅极全部覆盖；
对光刻胶进行光刻，去除覆盖在第一晶体管区域及第一栅极的光刻胶；
对第一晶体管区域进行紫外线处理；
去除第二晶体管区域的光刻胶；
干法刻蚀氮化硅层以形成覆盖第一栅极两侧的侧墙和覆盖第二栅极两侧的侧墙，而栅极顶部和源漏端的侧墙被刻蚀去除；
形成第一晶体管区域和第二晶体管区域中的晶体管的源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，第一晶体管区域中的晶体管是NMOS晶体管，第二晶体管区域中的晶体管是PMOS晶体管。
3.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，覆盖第一栅极两侧的侧墙的厚度为100A，覆盖第二栅极两侧的侧墙的厚度为175A。
4.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，覆盖第二栅极两侧的侧墙的厚度与覆盖第一栅极两侧的侧墙的厚度之比介于1.5-2.5之间。
5.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，在对第一晶体管区域进行紫外线处理时，紫外线的波长为150纳米到400纳米之间，处理的时间为300S。
6.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，紫外线处里前后的刻蚀比在1.5-2.5之间。
7.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，在对第一晶体管区域进行紫外线处理时，装载硅片的基板的温度在300度到480度之间。
8.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，采用各项异性的干法刻蚀对侧墙层进行干法刻蚀以形成侧墙。
9.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，氮化硅层的沉积厚度为200A。
10.根据权利要求1或2所述的改善PMOS器件性能的离子注入方法，其特征在于，沉积完成后氮化硅层的台阶覆盖率高于85％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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