[发明专利]具有多个阈值电压的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片，包括：

第一垂直器件，具有第一阈值，所述第一垂直器件包括：

第一源极；

第一沟道，位于所述第一源极上方；

第一漏极，位于所述第一沟道上方；

第一栅极电介质，邻近所述第一沟道；

第一导电层，邻近所述第一栅极电介质，所述第一导电层由p型功函金属形成；以及

第一栅极金属，邻近所述第一导电层；以及

第二垂直器件，具有第二阈值，所述第二垂直器件包括：

第二源极；

第二沟道，位于所述第二源极上方；

第二漏极，位于所述第二沟道上方；

自对准多晶硅化物，位于所述第二漏极上方并且与所述第二漏极直接接触；

第二栅极电介质，邻近所述第二沟道；

第二导电层，邻近所述第二栅极电介质，所述第二导电层由n型功函金属形成；以及

第二栅极金属，邻近所述第二导电层；

其中，所述第一导电层对应于所述第一阈值，并且所述第二导电层对应于所述第二阈值，所述第一阈值和所述第二阈值不同。

2.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第一垂直器件用于SRAM模块、I/O逻辑模块、功能逻辑模块、嵌入式DRAM模块和闪存模块中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第二垂直器件用于SRAM模块、I/O逻辑模块、功能逻辑模块、嵌入式DRAM模块和闪存模块中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第一垂直器件和所述第二垂直器件是全环垂直栅极器件。

5.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第一导电层和所述第二导电层由第一材料形成，所述第一导电层注入有第一掺杂剂，并且所述第二导电层注入有第二掺杂剂。

6.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第一导电层和所述第二导电层由第一材料形成，所述第一导电层注入有第一浓度的第一掺杂剂，并且所述第二导电层注入有第二浓度的所述第一掺杂剂。

7.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第一导电层和所述第二导电层由第一材料形成，所述第一导电层具有第一厚度，并且所述第二导电层具有第二厚度。

8.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第一导电层由具有第一功函数的第一材料形成，并且所述第二导电层由具有第二功函数的第二材料形成。

9.根据权利要求1所述的芯片，其中，所述第一垂直器件还包括位于所述第一栅极金属和所述第一导电层之间的第三导电层。

10.根据权利要求9所述的芯片，其中，所述第一导电层和所述第三导电层对应于所述第一阈值，并且所述第二导电层对应于所述第二阈值。