[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一氮化物半导体层，形成在衬底上方；

第二氮化物半导体层，形成在所述第一氮化物半导体层之上，并且具有比所述第一氮化物半导体层的禁带宽度更大的禁带宽度；

沟槽，贯通所述第二氮化物半导体层直至所述第一氮化物半导体层的中途；以及

栅极电极，经由栅极绝缘膜而配置在所述沟槽的内部，

其中所述沟槽的底部的端部为圆角形状，并且与所述沟槽的底部的端部接触的所述栅极绝缘膜为圆角形状。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中假定所述沟槽的侧壁上的所述栅极绝缘膜的厚度为Th，则位于所述沟槽的底部的端部处的所述栅极绝缘膜的厚度为√2×Th/2以上且小于√2×Th。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中假定所述沟槽的侧壁上的所述栅极绝缘膜的厚度为Th，则位于所述沟槽的底部的端部处的所述栅极绝缘膜的厚度为Th以上且√2×Th×0.8以下。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件具有分别形成在所述第二氮化物半导体层之上在所述栅极电极的两侧的第一电极和第二电极。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽的侧壁为锥形形状。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述沟槽是具有圆弧截面的凹部。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中在所述沟槽上方的所述栅极电极的底部位于比所述第二氮化物半导体层的表面的位置更高的位置。

8.一种半导体器件，包括：

第一氮化物半导体层，形成在衬底上方；

第二氮化物半导体层，形成在所述第一氮化物半导体层之上，并且具有比所述第一氮化物半导体层的禁带宽度更大的禁带宽度；

沟槽，贯通所述第二氮化物半导体层直至所述第一氮化物半导体层的中途；以及

栅极电极，经由栅极绝缘膜而配置在所述沟槽的内部，

其中所述沟槽的底部的端部为倒角形状，并且与所述沟槽的底部的端部接触的所述栅极绝缘膜为倒角形状。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述沟槽的底部的端部为锥形形状。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述沟槽的底部的端部包括第一锥形部以及位于所述第一锥形部下方的第二锥形部，并且在所述第二锥形部与所述沟槽的底部之间所形成的角度小于在所述第一锥形部与所述沟槽的底部之间所形成的角度。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述沟槽的底部的端部包括多个锥形部。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中假定所述沟槽的侧壁上的所述栅极绝缘膜的厚度为Th，则位于所述沟槽的底部的端部处的所述栅极绝缘膜的厚度为√2×Th/2以上且小于√2×Th。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中假定所述沟槽的侧壁上的所述栅极绝缘膜的厚度为Th，则位于所述沟槽的底部的端部处的所述栅极绝缘膜的厚度为Th以上且√2×Th×0.8以下。

14.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述器件具有分别形成在所述第二氮化物层之上在所述栅极电极的两侧的第一电极和第二电极。

15.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述沟槽的侧壁为锥形形状。

16.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述沟槽上方的所述栅极电极的底部位于比所述第二氮化物半导体层的表面的位置更高的位置。