[发明专利]一种锗材料表面稳定钝化的方法有效
| 申请号： | 201410404017.3 | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104241116B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 许宝建;蔡奇;金庆辉;赵建龙;叶林;狄增峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 材料 表面 稳定 钝化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于：具体步骤如下：
(1)将Ge片依次置于丙酮和乙醇溶液中进行超声清洗；
(2)依次采用去离子水和盐酸溶液对Ge片进行浸泡清洗；
(3)配制用于钝化的硫醇溶液；其中，硫醇溶液浓度为0.1～10mmol/L，所用溶剂为乙醇和水的混合液，其中水的体积百分比为10～50％；
(4)60～80℃下将用清洗好的Ge片浸泡到硫醇溶液中钝化处理，即可。
2.根据权利要求1所述的一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于：所述步骤(1)中的Ge片为晶向(100)、(110)或(111)的Ge片，或者为绝缘层上生长的Ge。
3.根据权利要求1所述的一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于：所述步骤(2)中盐酸的质量百分比为5～10％。
4.根据权利要求1所述的一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于：所述步骤(2)中去离子水和盐酸的处理时间为30min～2h。
5.根据权利要求1所述的一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于：所述步骤(3)中硫醇CH3(CH2)nSH含有长碳链，n≥9。
6.根据权利要求1所述的一种锗材料表面稳定钝化的方法，其特征在于：所述步骤(4)中钝化处理时间为12～24h，钝化反应体系密封。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
