[发明专利]一种CMOS图像传感器的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种图像传感器，尤其涉及一种CMOS图像传感器的制造方法。

背景技术

现有技术中的CMOS图像传感器制造大都是在成熟的逻辑电路制造工艺基础之上增加像素制造工艺，因此像素结构的复杂程度直接制约着像素制造工艺的实现，而像素结构的复杂程度直接由所需的掩膜版的数量决定。

现有技术中的CMOS图像传感器制造工艺除了逻辑电路所必须的掩膜版外，一般还需要增加五张到十几张不等的像素专用掩埋版。

发明内容

本发明的目的是提供一种像素所用掩膜版数量少、制造成本低的CMOS图像传感器的制造方法。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的CMOS图像传感器的制作方法，所述CMOS图像传感器包括基底及位于基底上方的像素单元和逻辑电路，所述像素单元包括光电二极管、浅槽隔离区，所述光电二极管与浅槽隔离区之间设有P型注入层，所述制作方法包括步骤：

在所述基底上设置P型掩埋层，并在该P型掩埋层上设置所述像素单元和逻辑电路；

进行所述浅槽隔离区的腐蚀以及所述P型注入层的注入和所述光电二极管的注入，所述浅槽隔离区、P型注入层和光电二极管的形成采用一层像素专用掩膜版实现，且所述像素专用掩膜版只用到一次，所述像素单元的其它部分的形成共用所述逻辑电路的掩膜版；

采用自对准注入工艺对所述光电二极管的表面进行P型杂质注入，形成表面掩蔽层。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明实施例提供的CMOS图像传感器的制造方法。由于浅槽隔离区、P型注入层和光电二极管的形成采用一层像素专用掩膜版实现，且像素专用掩膜版只用到一次，大大精简了像素所用掩膜版，在不牺牲像素性能的前提下大大缩减了制造成本。

附图说明

图1是本发明实施例一的CMOS图像传感器的剖面结构示意图；

图2是本发明实施例二的CMOS图像传感器制造方法的流程图；

图3至图12是本发明实施例二的CMOS图像传感器制造方法各步骤的剖面结构示意图。

具体实施方式

下面将对本发明实施例作进一步地详细描述。

本发明的CMOS图像传感器的制作方法，其较佳的具体实施方式是：

所述CMOS图像传感器包括基底及位于基底上方的像素单元和逻辑电路，所述像素单元包括光电二极管、浅槽隔离区，所述光电二极管与浅槽隔离区之间设有P型注入层，所述制作方法包括步骤：

在所述基底上设置P型掩埋层，并在该P型掩埋层上设置所述像素单元和逻辑电路；

进行所述浅槽隔离区的腐蚀以及所述P型注入层的注入和所述光电二极管的注入，所述浅槽隔离区、P型注入层和光电二极管的形成采用一层像素专用掩膜版实现，且所述像素专用掩膜版只用到一次，所述像素单元的其它部分的形成共用所述逻辑电路的掩膜版；

采用自对准注入工艺对所述光电二极管的表面进行P型杂质注入，形成表面掩蔽层。

所述基底为厚度2-8um的P型外延层，其掺杂浓度为1E15～1E16/cm³。

所述光电二极管的感光区的N型注入层的注入浓度为1E16～1E18/cm³，注入结深为0.3-0.8um。

所述浅槽隔离区的深度为0.3-0.7um。

所述浅槽隔离区的P型注入层的浓度为1E17～1E20/cm³，注入结深为0.02-0.2um。

本发明的CMOS图像传感器的制造方法，采用一张像素专用掩膜版，精简了制造工艺，降低了制造成本。

具体实施例：

实施例一：