[发明专利]防止图像弥散的图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种防止图像弥散的图像传感器，包括感光像素阵列，所述感光像素阵列中的每个像素包含置于半导体基体中的N型光电二极管，其特征在于，所述感光像素阵列区域设置N型导电层，所述N型导电层位于所述光电二极管的下方，所述感光像素阵列周围设置有抽取电荷N型区，所述抽取电荷N型区与所述N型导电层相互连接。

2.根据权利要求1所述的防止图像弥散的图像传感器，其特征在于，所述N型导电层与所述N型光电二极管隔开，所述N型导电层与所述N型光电二极管的间隔距离为至少为0.1um。

3.根据权利要求2所述的防止图像弥散的图像传感器，其特征在于，所述N型导电层在半导体基体中的垂直宽度为0.1um～0.5um、深度至少为1um。

4.根据权利要求3所述的防止图像弥散的图像传感器，其特征在于，所述N型导电层的N型离子浓度至少为1.5E+15Atom/cm³。

5.根据权利要求4所述的防止图像弥散的图像传感器，其特征在于，所述抽取电荷N型区在半导体基体中的水平宽度至少为0.3um。

6.根据权利要求5所述的防止图像弥散的图像传感器，其特征在于，所述抽取电荷N型区的N型离子浓度至少为7E+16Atom/cm³。

7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述抽取电荷N型区外接电势，所述外接电势的范围为0.1V～0.5V。

8.一种权利要求1至7任一项所述的防止图像弥散的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法在多晶硅工艺之前，包括如下步骤：

A、在氧气环境下，高温加热，在裸露的硅表面生成牺牲氧化层，此氧化层厚度为10nm～15nm；

B、第一次旋涂光刻胶并显影，在预定区域开口；

C、第一次N型离子注入，在半导体基体内部形成电荷导电层，电荷导电层在半导体基体中的垂直宽度为0.1um～0.5um，深度至少为1um，N型离子浓度至少为1.5E+15Atom/cm³；

D、第一次清洗光刻胶，将硅表面上的光刻胶全部去掉；

E、第二次旋涂光刻胶并显影，在预定区域开口；

F、第二次N型离子注入，形成抽取电荷N型区，抽取电荷N型区的N型离子浓度至少7E+16Atom/cm³。

G、第二次清洗光刻胶，将硅表面上的光刻胶全部去掉；

H、干法离子刻蚀，将硅表面上的牺牲氧化层去掉。

9.根据权利要求8所述的防止图像弥散的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述N型离子注入可以是磷离子注入，也可以是砷离子注入。