[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片和沟槽；

在鳍片中形成穿通阻挡层；

在沟槽中形成浅沟槽隔离；

在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠；

在假栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成栅极侧墙和源漏区；

在器件上形成层间介质层，覆盖源漏区和假栅极堆叠；

在层间介质层上形成掩模图形，具有开口，对应于源漏区上方；

以掩模图形为掩模，刻蚀层间介质层，形成源漏接触孔，暴露源漏区的顶部和至少一部分侧壁，并暴露直接在栅极堆叠侧壁上的接触刻蚀停止层，刻蚀形成源漏接触孔时刻蚀停止线低于穿通阻挡层的底部；

在源漏接触孔中形成接触金属层，其中相邻的接触金属层通过栅极堆叠自动隔离。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成层间介质层之后进一步包括：

去除假栅极堆叠，留下栅极沟槽；

在栅极沟槽中形成最终的栅极堆叠。

3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，源漏接触孔深入所述浅沟槽隔离表面以下。

4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，源漏接触孔完全暴露源漏区的顶部和侧壁，并且进一步暴露了鳍片的至少一部分。

5.一种半导体器件，包括衬底、衬底上的栅极堆叠、栅极堆叠两侧的源漏区以及源漏区上的接触金属层，衬底上具有沿第一方向延伸的多个鳍片以及鳍片之间的浅沟槽隔离，栅极堆叠沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片，源漏区位于栅极堆叠沿第一方向的两侧的鳍片上，鳍片中包含穿通阻挡层，其特征在于：接触金属层通过栅极堆叠自动隔离，接触金属层包围了源漏区的顶部以及源漏区的至少一部分侧壁，并接触直接在栅极堆叠侧壁上的接触刻蚀停止层，接触金属层底部低于穿通阻挡层的底部。

6.如权利要求5的半导体器件，其中，接触金属层完全包围源漏区的顶部以及侧壁，并且至少接触了鳍片的至少一部分侧壁。

7.如权利要求5的半导体器件，其中，源漏区周围具有浅沟槽隔离，

所述接触金属层深入浅沟槽隔离表面以下。