[发明专利]鳍状场效晶体管元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410405794.X | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105355658A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 吴彦良;张仲甫;洪裕祥;傅思逸;沈文骏;吕曼绫;刘家荣;陈意维 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 鳍状场效 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种鳍状场效晶体管元件制造方法，其包括以下步骤：
提供一基材，该基材表面上具有一鳍状结构；
在该基材上形成一氧化层；
移除部分该氧化层，用以露出部分的该鳍状结构，同时形成至少一浅沟槽隔离结构；
在该鳍状结构的露出部分两侧形成一对间隙壁；
移除部分该鳍状结构用以于该对间隙壁间形成一凹槽，并同时移除部分未被间隙壁覆盖的该浅沟槽隔离结构；
在该凹槽中形成一外延鳍状结构；
移除该对间隙壁；以及
在该外延鳍状结构上形成一栅极结构，使其延伸方向垂直于该外延鳍状结构的延伸方向。
2.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中移除部分未被该对间隙壁覆盖的该浅沟槽隔离结构用以形成一凹陷部，同时形成一边缘部被覆盖于该对间隙壁之下，其中该边缘部的一顶面高于该凹陷部的一顶面。
3.如权利要求2所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中该凹槽的一底面与该边缘部的该顶面共平面。
4.如权利要求2所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中该凹槽的一底面高于该边缘部的该顶面。
5.如权利要求2所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中该凹槽的一底面低于该边缘部的该顶面。
6.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中该外延鳍状结构的一顶面与该对间隙壁的一顶部对齐。
7.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中该外延鳍状结构的一顶面高于该对间隙壁的一顶部。
8.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中该外延鳍状结构的一顶面低于该对间隙壁的一顶部。
9.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其中该外延鳍状结构物理接触该凹槽的一底面，且该外延鳍状结构中含锗的比例范围为50％～100％。
10.如权利要求1所述的鳍状场效晶体管元件制造方法，其还包含以下步骤：
移除部分未被该栅极结构覆盖的该外延鳍状结构，用以形成一移除区；以及
在该移除区中外延形成一源/漏极结构，该源/漏极结构的成分不同于该外延鳍状结构。
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