[发明专利]过温保护电路在审
申请号: | 201410406246.9 | 申请日: | 2014-08-13 |
公开(公告)号: | CN105720556A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 石大伟 | 申请(专利权)人: | 亚荣源科技(深圳)有限公司 |
主分类号: | H02H5/04 | 分类号: | H02H5/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518115 广东省深圳市龙岗区横岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 电路 | ||
1.一种过温保护电路,其特征在于包括:
一开关单元,其与一电源耦接;
一控制单元,其与该开关单元及一处理单元的一脚位耦接;
一第一分压电阻单元,其与该电源耦接,且该第一分压电阻单元包括有一第一热敏电阻;
一第二分压电阻单元,其与该电源耦接,且该第二分压电阻单元包括有一第二热敏电阻;以及
一栓锁单元,其与该开关单元、该第一分压电阻单元及该第二分压电阻单元耦接,而该电源藉由该第一分压电阻单元及该第二分压电阻单元分别提供给栓锁单元的分压能量需两者均达到一启动默认值后,该栓锁单元才将运作,反之,当该栓锁单元已运作后,需该电源藉由该第一分压电阻单元及该第二分压电阻单元分别提供给栓锁单元的分压能量需两者均未达到该启动默认值后,该栓锁单元才将停止运作;
其中,该电源藉由该第一分压电阻单元及该第二分压电阻单元分别提供给该栓锁单元的分压能量将随温度升高而增加,相对随温度降低而减少,当温度增温到一第一默认值时,该电源藉由该第一分压电阻单元提供的分压能量达到该启动默认值,而当温度再增温到一第二默认值时,该电源藉由该第二分压电阻单元提供的分压能量也达到该启动默认值,使该栓锁单元形成导通状态而接地,而与该栓锁单元耦接的该开关单元也形成导通状态,同时也使该控制单元呈现导通状态而使该处理单元的该脚位形成接地状态,该处理单元将停止运作,而当温度降至低于该第二默认值时,该电源藉由该第二分压电阻单元提供的分压能量未达该启动默认值,但该栓锁单元仍可持续运作,需当温度降至低于该第一默认值时,该电源藉由该第一分压电阻单元提供的分压能量也未达该启动默认值后,使该栓锁单元停止运作,而该处理单元的该脚位呈现未接地状态后,该处理单元即重新开始运作。
2.如权利要求1所述的过温保护电路,其特征在于该第一热敏电阻设置于该栓锁单元耦接于该第一分压电阻单元与该电源之间,该第一热敏电阻为负系数热敏电阻(NTC),而该第二热敏电阻设置于该栓锁单元耦接于该第二分压电阻单元与该电源之间,该第二热敏电阻为负系数热敏电阻(NTC)。
3.如权利要求2所述的过温保护电路,其特征在于该第二分压电阻单元非设置于该栓锁单元耦接于该第二分压电阻单元与该电源之间的电阻为一第三热敏电阻,且该第三热敏电阻为正系数热敏电阻(PTC)。
4.如权利要求3所述的过温保护电路,其特征在于该栓锁单元与该第二分压电阻单元之间进一步设置一第一齐纳二极管(ZenerDiodes),而该开关单元与该栓锁单元之间进一步设置一第二齐纳二极管。
5.如权利要求4所述的过温保护电路,其特征在于该开关单元为一PNP型晶体管。
6.如权利要求5所述的过温保护电路,其特征在于该控制单元为一金氧半场效晶体管(MOSFET)。
7.如权利要求6所述的过温保护电路,其特征在于该处理单元为一微处理器(MCU)。
8.如权利要求7所述的过温保护电路,其特征在于该栓锁单元为一PNP型晶体管及一NPN型晶体管之组合。
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