[发明专利]电路装置和用于操作电路装置的方法

说明书

技术领域

所公开的实施例总的来说涉及电路装置、用于操作这样的电路装置的方法以及相应的系统。

背景技术

闪速存储器典型地需要用于修改数据的高电压。例如，用于选取待连接至读出放大器(sense amplifier)或写入缓冲器电路的存储器单元的多路复用器电路。如果读出放大器被设计用于较低电压，则可能需要保护器件。高电压可以通过电荷泵产生，并且多路复用器电路的漏电电流可以被减小，特别是被最小化。

高电压器件与低电压器件相比具有较厚的门极氧化层和较大的沟道宽度和沟道长度，从而它们能够承受由高电压引起的较高的电场。结果，高电压器件具有高的阈值电压和大的器件面积。因此布局和电路架构被优化以使所需面积最小化。另一方面，低电压器件显示出改善了的模拟特性，并且归因于较薄的门极氧化物，具有更好的匹配特性，这对于建立诸如读出放大器等的模拟电路很重要。因此，高电压与低电压器件的组合对于保护和精确读出操作的组合是有益的。因为p沟道器件的相当差的特性，所以可能主要使用n沟道器件。

在读取操作过程中，借助于第一存取线(例如位线)和第二存取线(例如字线)来选取存储器单元。存储器单元的未用于选取和存取存储器单元的第一存取线可以被保持处于限定偏压，例如通过连接至诸如地电位等的限定电位被保持处于限定偏压。结果，被选取的存储器单元的读取操作不会由于与相邻的第一存取线电容性耦合而被干扰。通常，n沟道器件被用于使相邻的第一存取线偏压。措辞“相邻”在本说明书中用于意味着例如“位置上挨着”或“相邻”。

因为多路复用器电路中的器件和放电器件具有相同的极性，所以必须按照路线布置具有反相信号的附加总线。总线优选地设计用于高电压，因为在写入或擦除操作过程中位线被偏压至比低电压器件的击穿电压高的电压。然而，高电压设计需要用于门极的控制的高电压电平移位器，高电压电平移位器需要面积并且在由电荷泵提供的操作过程中消耗动态功率。典型地，电荷泵在传输供电电压VDD的供电线上汲取大的电流。使用用于偏压的p沟道器件是可能的，然而需要负的过载，或者未用于选取存储器单元的第一存取线仅被弱偏压。这种情况尤其发生在供电电压VDD位于高电压器件的阈值电压的范围内所在的比例技术节点处。

发明内容

第一实施例涉及一种电路装置，包括：多个电子部件；多个第一存取线和第二存取线，其中，每个电子部件都与至少一个第一存取线和第二存取线耦合，其中第二存取线包括至少两个位线；存取控制器，存取控制器被配置成经由至少一个第一存取线和第二存取线对多个电子部件中的至少一个电子部件的存取进行控制；第一组开关，其中每个开关都包括至少一个控制端子和至少两个被控端子，其中第一组开关中的每个开关都经由其控制端子被连接至至少两个位线中的一个，并且经由其被控端子被连接在一个第一存取线与读出放大器之间的路径中；其中，第一组开关中的相邻的开关经由它们的控制端子被连接至至少两个位线中的不同位线。

第二实施例涉及一种用于操作电路装置的方法，其中，电路装置包括多个电子部件；以及多个第一存取线和第二存取线。每个电子部件都与至少一个第一存取线和第二存取线耦合，其中第二存取线包括至少两个位线，其中选取第一存取线；并且其中，将与被选取的第一存取线相邻的至少一个第一存取线控制成提供放电路径。

第三实施例涉及第一种系统，包括：多个电子部件；多个第一存取线和第二存取线，其中每个电子部件都与至少一个第一存取线和第二存取线耦合，其中第二存取线包括至少两个位线；用于选取第一存取线的部件；以及用于将与被选取的第一存取线相邻的至少一个第一存取线控制成提供放电路径的部件。

附图说明

参照附图示出并说明了实施例。附图用于说明基本原理，从而仅说明了用于理解基本原理必要的方面。附图未按比例。在附图中，相同的附图标记表示类似的特征。

图1示出电路装置的示例性实施例；

图2示出具有允许以交替顺序向电路寻址的两个位线的多路复用器电路的示例性实施；

图3示出读取操作过程中图2的电路图；

图4示出写入操作过程中图2的电路图。

具体实施方式

以下详细描述参照附图进行，附图通过图示的方式示出具体细节以及可以实践本发明的实施例。

用语“示例性”在本文中用于意味着“用作示例、例子或说明”。本文中描述为“示例性”的任何实施例或设计都并不一定被解释为比其它实施例或设计优选或有利。