[发明专利]克服短沟道效应提升频率的局部SOI LDMOS器件

权利要求书

1.一种克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，包括半导体衬底(1)、沟道区(2)、漂移区(3)、源区(4)、漏区(5)、栅氧(6)、场氧(7)、栅(8)、沟道衬底重掺杂区(9)、BOX层(18)、侧墙(19)、源极扩展区(20)，漂移区(3)采用横向变掺杂结构，其特征在于，所述BOX层(18)靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开有通槽，所述BOX层(18)位于沟道的正下方、或者位于沟道和部分源区的正下方、或者位于沟道和源区的正下方。

2.根据权利要求1所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开有的通槽为矩形、“V”形或“U”形。

3.根据权利要求1所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层靠近漏区一端均采用倒角结构，倒角半径大于5nm。

4.根据权利要求1所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层的上表面到沟道表面的距离小于50nm。

5.根据权利要求1所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层为矩形，厚度≤30nm。

6.根据权利要求1所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端和靠近源区一端沿漂移区宽度方向均开有通槽。

7.根据权利要求6所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端开有的通槽为矩形、“V”形或“U”形，所述BOX层靠近源区一端开有的通槽为矩形、“V”形或“U”形。

8.根据权利要求1所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层为“I”字形，靠近沟道上表面的横向BOX的厚度≤30nm。

9.根据权利要求1所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层为“T”字形，横向BOX的厚度≤30nm。

10.根据权利要求2或7所述的克服短沟道效应提升频率的局部超薄SOI LDMOS器件，其特征在于，所述BOX层靠近漂移区一端沿漂移区宽度方向开的通槽为矩形时，所述靠近漂移区一端通槽上方BOX层的厚度≤30nm。