[发明专利]像素结构、阵列基板及显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地说，涉及一种像素结构、阵列基板及显示器件。

背景技术

液晶显示器具有轻薄、低辐射、低电耗等特点，已取代传统的阴极射线管显示器成为显示器市场的主流产品。阵列基板作为液晶显示器件的组件之一，具有极其重要的意义。

结合图1a和1b所示，图1a为现有的像素结构的结构示意图；图1b为图1a提供的像素结构沿AA’方向的切面图。其中，像素结构为横向像素结构，阵列基板包括多个像素结构100，像素结构100包括薄膜场效应晶体管101。

其中，沿像素结构100的AA’的切面上，像素结构100包括透明基板1；在透明基板1的表面上形成有第一导电层，第一导电层包括栅极线2、公共电极3和薄膜场效应晶体管101的栅极，栅极线2与薄膜场效应晶体管101的栅极相连；覆盖第一导电层的第一绝缘层4；形成于第一绝缘层4上的第二导电层，第二导电层包括数据线5，以及薄膜场效应晶体管101的源极和漏极，数据线5与薄膜场效应晶体管101的源极相连；形成于第二导电层表面的第二绝缘层6；形成于第二绝缘层6表面的第三导电层，第三导电层包括像素电极7，像素电极7与薄膜场效应晶体管101的漏极相连，且像素电极7和公共电极3形成存储电容。现有的像素结构的开口率有待增大。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种像素结构、阵列基板及显示器件，其开口率大，显示效果好。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种像素结构，所述像素结构包括：

栅极线、数据线、像素电极和公共电极；

所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。

优选的，所述公共电极与所述数据线由同一导电层制作而成。

优选的，所述公共电极的材质为铝、钼、钼铝钼或铬。

一种阵列基板，包括：

多个像素结构，每个像素结构包括：

栅极线、数据线、像素电极和公共电极，

在任意一像素结构中，所述公共电极形成于所述栅极线所在导电层和所述像素电极所在导电层之间，所述公共电极与所述栅极线和所述像素电极之间均相互隔离，所述公共电极覆盖所述栅极线，且所述公共电极与所述像素电极具有交叠区域。

优选的，沿所述数据线延伸方向上，任意一像素结构的像素电极还与与其相邻的像素结构的公共电极具有交叠区域。

优选的，沿所述数据线延伸方向上，相邻两个像素结构的公共电极通过一导线电性连接。

优选的，相邻两个像素结构的公共电极与导线形成U形结构。

优选的，在任意一像素结构中，所述像素电极还与位于该像素结构的导线具有交叠区域。

优选的，在任意一像素结构中，所述公共电极与所述数据线由同一导电层制作而成。

一种显示器件，包括上述的阵列基板。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的像素结构、阵列基板及显示器件，其像素结构包括栅极线、数据线、像素电极和公共电极；其中，公共电极形成于栅极线所在导电层和像素电极所在导电层之间，公共电极与栅极线和像素电极之间均相互隔离，公共电极覆盖栅极线，且公共电极与像素电极具有交叠区域。由于公共电极形成在栅极线上方，相对于现有的公共电极和栅极线位于同一导电层的情况，不仅可以增大像素结构的开口率；而且公共电极还可以起到一定的遮光作用，减少像素结构边缘区域的漏光，提高显示器件的对比度、透过率和显示稳定性，提高了显示器件的显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为现有的一种像素结构的结构示意图；

图1b为图1a的像素结构沿AA’方向的切面图；

图2a为本申请实施例提供的一种像素结构的结构示意图；

图2b为图2a所提供的像素结构沿AA’方向的切面图；

图3为本申请实施例提供的沿数据线方向的多个像素结构的结构示意图。

具体实施方式