[发明专利]Mg掺杂电子阻挡层的外延片，生长方法及LED结构有效
| 申请号： | 201410407703.6 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104134730B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周少将;徐迪;卢国军;刘为刚 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mg 掺杂 电子 阻挡 外延 生长 方法 led 结构 | ||
1.一种Mg掺杂电子阻挡层的外延片，其结构从下至上依次为：衬底，低温GaN缓冲层，高温GaN缓冲层，n型GaN层，n型AlGaN层，n型接触层，多量子阱层，GaN垒层，其特征在于：
在所述的GaN垒层上为AlGaN/GaN电子阻挡层，所述的AlGaN/GaN电子阻挡层上为低温P型GaN层，所述的低温P型GaN层上为掺杂Mg的高浓度的AlGaN/InGaN电子阻挡层，所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层上为高温P型GaN层，所述的高温P型GaN层上为P型接触层。
2.根据权利要求1所述的Mg掺杂电子阻挡层的外延片，其特征在于：所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层为超晶格结构，周期数为10，Mg掺杂浓度为1E+20～1E+22 atom/cm3。
3.根据权利要求2所述的Mg掺杂电子阻挡层的外延片，其特征在于：所述的高温P型GaN层的厚度为30～90nm。
4.一种Mg掺杂电子阻挡层的外延片的生长方法，依次包括处理衬底，低温GaN缓冲层，高温GaN缓冲层，n型GaN层，n型AlGaN层，n型接触层，多量子阱层，GaN垒层的步骤，其特征在于，还包括：
在所述的GaN垒层上生长AlGaN/GaN电子阻挡层；
在所述的AlGaN/GaN电子阻挡层上生长低温P型GaN层；
在所述的低温P型GaN层上生长掺杂Mg的高浓度的AlGaN/InGaN电子阻挡层；
在所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层上生长高温P型GaN层；
在所述的高温P型GaN层上生长P型接触层。
5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于：
所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层，生长周期数为10，AlGaN/InGaN厚度为1～2.5nm，总厚度为20～50nm。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于：
所述的AlGaN/GaN电子阻挡层，Al掺杂浓度为5E+19～1E+20 atom/cm3；
所述的P型AlGaN/InGaN电子阻挡层，Al掺杂浓度为1E+20 atom/cm3；Mg掺杂浓度为1E+20～1E+22 atom/cm3。
7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于：所述的高温P型GaN层的厚度为30～90nm。
8.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于：
所述的AlGaN/GaN电子阻挡层的生长温度在810～850℃；
所述的低温P型GaN层的生长温度在700～800℃；
所述的AlGaN/InGaN电子阻挡层的生长温度在900～1000℃；
所述的高温P型GaN层的生长温度在900～1000℃；
所述的P型接触层的生长温度在900～1000℃。
9.根据权利要求8所述的生长方法，其特征在于：
所述的AlGaN/GaN电子阻挡层的厚度在8～12nm；
所述的低温P型GaN层的厚度在50～80nm；
所述的P型接触层的厚度在6～10nm。
10.一种LED结构，包括衬底，设置在所述衬底上的外延片，以及设置在所述外延片上的P电极和N电极，其特征在于，所述的外延片为权利要求1至3中任何一项所述的外延片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410407703.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
