[发明专利]用于抛光蓝宝石表面的化学机械抛光组合物及其使用方法在审
申请号: | 201410408641.0 | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN104416450A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | A·S·巴里克;西泽秀明;森山和树;吉田光一;江泽俊二;S·阿鲁姆甘 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;霓塔哈斯株式会社 |
主分类号: | B24B37/00 | 分类号: | B24B37/00;C09G1/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆蔚 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 抛光 蓝宝石 表面 化学 机械抛光 组合 及其 使用方法 | ||
1.一种抛光蓝宝石基材的方法,其包括:
提供具有暴露的蓝宝石表面的基材;
提供pH为大于8且不超过12的化学机械抛光浆液,其中该化学机械抛光浆液含有以下成分作为初始组分:
胶体二氧化硅磨料,其中该胶体二氧化硅磨料具有负表面电荷,且该胶体二氧化硅磨料具有多峰粒度分布,第一粒度最大为2-25nm;第二粒度最大为75-200nm;
任选的杀生物剂;
任选的非离子型消泡剂;以及
任选的pH调节剂;
提供化学机械抛光垫;
在化学机械抛光垫和基材的界面处形成动态接触;以及
在所述化学机械抛光垫和基材之间的界面处或界面附近,将所述化学机械抛光浆液分配到所述化学机械抛光垫上;
其中至少一些蓝宝石从基材暴露的蓝宝石表面上去除,且所述化学机械抛光浆液在以下条件下具有≥/小时的蓝宝石去除速率:台板转速120转/分钟,支架转速120转/分钟,化学机械抛光浆液的流速为400毫升/分钟,在300毫米的抛光设备上施加34.3kPa的标称向下作用力,所述化学机械抛光垫是聚氨酯浸渍的无纺抛光垫。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述化学机械抛光浆液含有5-40重量%的胶体二氧化硅磨料。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述胶体二氧化硅磨料是平均粒度为2-25nm的第一组胶体二氧化硅颗粒和平均粒度为75-185nm的第二组胶体二氧化硅颗粒的混合物。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述胶体二氧化硅磨料含有1-25重量%的第一组胶体二氧化硅颗粒。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述化学机械抛光浆液含有10-30重量%的胶体二氧化硅磨料;该胶体二氧化硅磨料是平均粒度为10-25nm的第一组胶体二氧化硅颗粒和平均粒度为90-110nm的第二组胶体二氧化硅颗粒的混合物;该胶体二氧化硅磨料含有1-25重量%第一组胶体二氧化硅颗粒;所述化学机械抛光浆液含有0.2-1.5重量%的非离子型消泡剂,该非离子型消泡剂是基于硅的消泡剂;该化学机械抛光浆液在以下条件下具有≥/小时的蓝宝石去除速率:台板转速120转/分钟,支架转速120转/分钟,化学机械抛光浆液的流速为400毫升/分钟,在300毫米的抛光设备上施加34.3kPa的标称向下作用力,所述化学机械抛光垫是聚氨酯浸渍的无纺垫。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述化学机械抛光浆液的pH为9-10;该化学机械抛光浆液含有10-30重量%的胶体二氧化硅磨料;该胶体二氧化硅磨料是平均粒度为10-21nm的第一组胶体二氧化硅颗粒和平均粒度为95-105nm的第二组胶体二氧化硅颗粒的混合物;该胶体二氧化硅磨料含有1-25重量%第一组胶体二氧化硅颗粒;所述化学机械抛光浆液含有0.45-1.05重量%的非离子型消泡剂,该非离子型消泡剂是基于硅的消泡剂;该化学机械抛光浆液在以下条件下具有≥/小时的蓝宝石去除速率:台板转速120转/分钟,支架转速120转/分钟,化学机械抛光浆液的流速为400毫升/分钟,在300毫米的抛光设备上施加34.3kPa的标称向下作用力,所述化学机械抛光垫是聚氨酯浸渍的无纺垫。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述化学机械抛光浆液的pH为9-10;该化学机械抛光浆液含有10-30重量%的胶体二氧化硅磨料;该胶体二氧化硅磨料是平均粒度为14-16nm的第一组胶体二氧化硅颗粒和平均粒度为95-105nm的第二组胶体二氧化硅颗粒的混合物;该胶体二氧化硅磨料含有1-25重量%第一组胶体二氧化硅颗粒;所述化学机械抛光浆液含有0.45-1.05重量%的非离子型消泡剂,该非离子型消泡剂是基于硅的消泡剂;该化学机械抛光浆液在以下条件下具有≥/小时的蓝宝石去除速率:台板转速120转/分钟,支架转速120转/分钟,化学机械抛光浆液的流速为400毫升/分钟,在300毫米的抛光设备上施加34.3kPa的标称向下作用力,所述化学机械抛光垫是聚氨酯浸渍的无纺垫。
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