[发明专利]具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法

权利要求书

1.一种具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅衬底上定义出具有不同BVCBO的NPN器件的形成区域；采用光刻工艺定义出各所述NPN器件的N型埋层的离子注入光刻胶图形，各所述NPN器件的形成区域的所述离子注入光刻胶图形包括全部打开结构、栅型结构或者网格结构；

所述全部打开结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶全部被去除；

所述栅型结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶包括多个第一去除部分和多个第一保留部分、且所述第一去除部分和所述第一保留部分分别呈条状结构且交替排列；

所述网格结构为对应的所述NPN器件的形成区域的光刻胶包括多个第二去除部分和多个第二保留部分、且所述第二去除部分和所述第二保留部分分别呈块状结构，且所述第二去除部分和所述第二保留部分在二维面的两个垂直的轴上分别呈交替排列；

步骤二、以所述离子注入光刻胶图形为掩膜，采用同一次N型离子注入形成各所述NPN器件的N型埋层；各所述N型埋层的图形结构和对应的所述离子注入光刻胶图形相同，所述光刻胶被去除的地方被注入N型离子、所述光刻胶保留的地方N型离子未注入到所述硅衬底中；

步骤三、去除所述离子注入光刻胶图形，对各所述NPN器件的N型埋层进行退火推进；退火推进后，所述栅型结构或者所述网格结构所定义的所述N型埋层的注入N型离子区域的N型离子扩散到未被注入N型离子区域中从而使对应的所述N型埋层连接成一全部区域N型掺杂的整体结构，所述全部打开结构所定义的所述N型埋层退火前后都呈一全部区域N型掺杂的整体结构；

通过调节所述N型埋层的掺杂浓度调节所述NPN器件的BVCBO，所述N型埋层的掺杂浓度越大、所述NPN器件的BVCBO越小，所述N型埋层的掺杂浓度越小、所述NPN器件的BVCBO越大；步骤二中各所述N型埋层中注入的N型离子越多、退火推进后所对应的所述N型埋层的掺杂浓度越大。

2.如权利要求1所述的具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，其特征在于：所述栅型结构的各所述第一去除部分的尺寸相同、各所述第一保留部分的尺寸相同，所述栅型结构所定义的所述N型埋层的掺杂浓度由所述栅型结构的各所述第一去除部分和各所述第一保留部分的尺寸和数量定义，由一个所述第一去除部分和一个所述第一保留部分组成的一周期中，所述第一去除部分的宽度越大、所述第一保留部分的宽度越小所述N型埋层的掺杂浓度越大，所述第一去除部分的宽度越小、所述第一保留部分的宽度越大所述N型埋层的掺杂浓度越小。

3.如权利要求1所述的具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，其特征在于：所述网格结构的各所述第二去除部分的尺寸相同、各所述第二保留部分的尺寸相同，所述网格结构所定义的所述N型埋层的掺杂浓度由所述网格结构的各所述第二去除部分和各所述第二保留部分的尺寸和数量定义；在二维面的两个垂直的轴的每个轴上的由一个所述第二去除部分和一个所述第二保留部分组成的一周期中，所述第二去除部分的宽度越大、所述第二保留部分的宽度越小所述N型埋层的掺杂浓度越大，所述第二去除部分的宽度越小、所述第二保留部分的宽度越大所述N型埋层的掺杂浓度越小。

4.如权利要求1所述的具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，其特征在于：在步骤三之后，还包括如下步骤：

步骤四、进行N-外延层生长，对所述N-外延层进行退火推进，在各所述NPN器件形成区域的所述N-外延层作为各所述NPN器件的集电区；

步骤五、通过光刻和注入在各所述NPN器件的集电区中形成P型掺杂的基区；

步骤六、通过光刻和注入在各所述NPN器件的所述基区中形成由N+区组成的发射区。

5.如权利要求1所述的具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，其特征在于：步骤二中所述N型埋层的N型离子注入的注入杂质为Sb或As，注入能量为40kev～200kev，注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2。

6.如权利要求1所述的具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，其特征在于：步骤三所述N型埋层的退火推进的温度为1100℃～1250℃，时间为30分钟～300分钟。