[发明专利]静态随机存储器有效
| 申请号： | 201410409377.2 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN105355232B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态 随机 存储器 | ||
1.一种静态随机存储器，其特征在于，包括：多个单元，其中，每个所述单元包括：
第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输出端连接至所述第二反相器的输入端，所述第一反相器的输入端连接至所述第二反相器的输出端；
第一NMOS晶体管，分别与所述第一反相器的输入端、所述第二反相器的输出端、写字线和写位线连接，用于控制写信号的选通；
第二NMOS晶体管，分别与所述第一反相器的输出端、所述第二反相器的输入端、读字线和内线连接，用于控制读信号的选通；
其中，所述第一反相器包括第一PMOS晶体管和第三NMOS晶体管；所述第二反相器包括第二PMOS晶体管和第四NMOS晶体管；所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的宽度与所述第一NMOS晶体管的宽度相同；所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管的宽度与所述第二NMOS晶体管的宽度相同。
2.根据权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于，
所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管均被上拉至与电源端连接；
所述第三NMOS晶体管和第四NMOS晶体管均被下拉至与接地端连接。
3.根据权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于，所述第一NMOS晶体管的栅极与所述写字线连接，所述第一NMOS晶体管的漏极与所述写位线连接，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第一PMOS晶体管的漏极、所述第三NMOS晶体管的漏极、所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第四NMOS晶体管的栅极连接。
4.根据权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于，所述第二NMOS晶体管的栅极与所述读字线连接，所述第二NMOS晶体管的漏极与所述内线连接，所述第二NMOS晶体管的源极与所述第一PMOS晶体管的栅极、所述第三NMOS晶体管的栅极、所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第四NMOS晶体管的漏极连接。
5.根据权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于，所述第一PMOS晶体管的源极和所述第二PMOS晶体管的源极均连接至所述电源端，所述第一PMOS晶体管的栅极与所述第三NMOS晶体管的栅极连接，所述第二PMOS晶体管的栅极与所述第四NMOS晶体管的栅极连接，所述第三NMOS晶体管的源极和第四NMOS晶体管的源极均连接至所述接地端。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的静态随机存储器，其特征在于，所述多个单元中的第i个单元中的第一NMOS晶体管的栅极连接至第i条所述写字线，所述第i个单元中的第一NMOS晶体管的漏极连接至第j条所述写位线；所述第i个单元中的第二NMOS晶体管的栅极连接至第i条读字线，所述第i个单元中的第二NMOS晶体管的漏极连接至第j条所述内线。
7.根据权利要求6所述的静态随机存储器，其特征在于，所述第j条所述内线通过第五NMOS晶体管连接至第j条读位线，其中，所述第五NMOS晶体管用于控制一列所述单元的读信号的选通。
8.根据权利要求7所述的静态随机存储器，其特征在于，所述第j条所述内线与所述第五NMOS晶体管的栅极连接，所述第五NMOS晶体管的漏极与所述第j条读位线连接，所述第五NMOS晶体管的源极接地或接高电位。
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