[发明专利]一种稀土镁合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201410409425.8 | 申请日： | 2014-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104149415A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张洪杰;佟立波;文懋;张庆鑫;邱鑫;孟健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;B32B9/04;C22C23/00;C22C23/02;C22C23/06;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 130022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 稀土 镁合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种稀土镁合金，其特征在于，包括：
稀土镁合金基底；
复合在所述稀土镁合金基底上的钛过渡层；
复合在所述钛过渡层上的耐腐蚀层；所述耐腐蚀层由碳化物形成。
2.根据权利要求1所述的稀土镁合金，其特征在于，所述耐腐蚀层还包括：
复合在所述碳化物层上的钛层；
复合在所述钛层上的碳化物/钛交替形成的多层结构。
3.根据权利要求1或2所述的稀土镁合金，其特征在于，所述碳化物为碳化铪、碳化钽或碳化锆。
4.根据权利要求2所述的稀土镁合金，其特征在于，所述耐腐蚀层的厚度为0.1μm～30μm。
5.根据权利要求1所述的稀土镁合金，其特征在于，所述稀土镁合金基底包含：
大于0小于等于6wt％的Al；
大于0小于等于1wt％的Ca；
大于0小于等于1wt％的Sm；
余量为Mg。
6.根据权利要求1所述的稀土镁合金，其特征在于，所述钛过渡层的厚度为0.2μm～2.0μm。
7.一种稀土镁合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)采用磁控溅射法在稀土镁合金基底上形成钛过渡层；
b)采用磁控溅射法在所述钛过渡层上形成耐腐蚀层；所述耐腐蚀层由碳化物形成；
c)对步骤b)得到的产品进行真空退火，得到稀土镁合金。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)还包括采用磁控溅射法在所述碳化物层上形成钛层和碳化物/钛交替形成的多层结构。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)中，所述磁控溅射的压强为0.4Pa～2.0Pa，偏压为-50V～-100V，基体温度为25℃～100℃，靶基距为50mm～80mm，溅射电流密度为7mA/cm2～20mA/cm2。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤b)中，所述磁控溅射的压强为0.4Pa～2.0Pa，偏压为-50V～-200V，基体温度为25℃～100℃，靶基距为50mm～80mm，溅射电流密度为10mA/cm2～20mA/cm2。
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