[发明专利]引线焊垫结构的制造方法

权利要求书

1.一种引线焊垫结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有多个半导体芯片的晶圆，每个所述半导体芯片包括位于最上层的电介质层，所述电介质层中形成有金属互连线；

在所述电介质层和金属互连线表面形成刻蚀阻挡层和钝化层；

对所述钝化层进行第一次过刻蚀形成对应金属互连线表面的开口，以使所述晶圆上所有半导体芯片中的所述开口底部均完全暴露所述刻蚀阻挡层；

执行高温灰化工艺，以去除所述第一次过刻蚀过程中的刻蚀副产物；

利用还原性气体对开口底部进行第一次表面处理；

执行第二次刻蚀工艺，打开所述开口底部的刻蚀阻挡层，形成沟槽，所述沟槽底部暴露金属互连线；

执行清洗工艺，对在前工艺得到结构进行清洗；

在暴露的金属互连线表面、沟槽侧壁形成扩散阻挡层，并在沟槽内沉积焊垫材料，对焊垫材料进行第三次刻蚀以形成焊垫；

其中，在执行第二次刻蚀工艺之后，执行清洗工艺之前还包括执行第二次表面处理的步骤，包括利用还原性气体对暴露的金属互连线表面进行第二次表面处理，以去除暴露的金属互连线表面的氧化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述钝化层进行第一次过刻蚀形成对应金属互连线表面的开口，以使所述晶圆上所有半导体芯片中的所述开口底部均完全暴露所述刻蚀阻挡层包括：

在所述钝化层表面形成对应暴露所述金属互连线位置的第一图案化光刻胶；

以所述第一图案化光刻胶为掩膜对所述钝化层进行第一次过刻蚀形成对应金属互连线表面的开口，以使所述晶圆上所有半导体芯片中的所述开口底部均完全暴露所述刻蚀阻挡层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，利用还原性气体对开口底部进行第一次表面处理包括：

利用还原性气体的等离子体对开口底部进行第一次表面处理。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，第一次表面处理时，还原性气体为氢气、氨气、一氧化碳中的一种或两种以上的组合。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氮氧化硅，钝化层的材料为氮化硅，金属互连线的材料为铜，焊垫材料为铝，所述扩散阻挡层材料为钽或氮化钽。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，执行清洗工艺时，使用硫酸溶液对在前工艺得到结构进行清洗。