[发明专利]一种基于GaN的宽带平衡功率放大器

权利要求书

1.一种基于GaN的宽带平衡功率放大器，其特征在于，包括Lange耦合器、微带传输线、Banding金丝线、滤波电感、稳定电阻以及GaN基HEMT组成；所述第一Lange耦合器（L1）的输入端（1）与信号输入端（IN）相连，该Lange耦合器（L1）的接地端（2）通过第一稳定电阻（R1）接地，该Lange耦合器（L1）的上输出端（3）通过微带传输线（TL）、Banding金丝线（Wire）与第一滤波电容（C1）相连，该Lange耦合器（L1）的下输出端（4）通过微带传输线（TL）、Banding金丝线（Wire）与第二滤波电容（C2）相连；所述的第一电容（C1）通过Banding金丝线（Wire）与第一GaN基HEMT（H1）的输入端（1）相连，第一GaN基HEMT（H1）的接地端（3）接地，第一GaN基HEMT（H1）的输出端（2）通过Banding金丝线（Wire）与第三滤波电容（C3）相连；所述第二电容（C2）通过Banding金丝线（Wire）与第二GaN基HEMT（H2）的输入端（1）相连，第二GaN基HEMT（H2）的接地端（3）接地，第二GaN基HEMT（H2）的输出端（2）通过Banding金丝线（Wire）与第三电容（C4）相连；所述的第三电容（C3）通过Banding金丝线（Wire）、微带传输线（TL）与第2个Lange耦合器（L2）的上输入端（1）相连，所述的第四电容（C4）通过Banding金丝线（Wire）、微带传输线（TL）与第二Lange耦合器（L2）的下输入端（2）相连，所述Lange耦合器（L2）的接地端（3）通过第二稳定电阻（R2）接地，该Lange耦合器（L2）的输出端（4）与信号输出端（OUT）相连。

2.如权利要求1所述的一种基于GaN的宽带平衡功率放大器，其特征在于，该功率放大器的偏置电路包括T型接头、微带传输线、滤波电容、稳定电阻以及GaN基HEMT，所述的信号输入端（RFIN）通过第五电容（C5）、微带传输线（TL）、T型接头（Tee）与GaN基HEMT（H）的输入端（1）相连；所述的栅极电源（Vgs）通过第三稳定电阻（R3）、微带传输线（TL）、T型接头（Tee）与GaN基HEMT（H）的输入端（1）相连；所述第六滤波电容（C6）、第七滤波电容（C7）和第八滤波电容（C8）分别接在栅极电源（Vgs）与地之间；所述的GaN基HEMT（H）的输出端（2）通过T型接头（Tee）、微带传输线（TL）、第十二滤波电容（C12）与信号输出端（RFOUT）相连；所述的漏极电源（Vds）通过微带传输线（TL）、T型接头（Tee）与GaN基HEMT（H）的输出端（2）相连，GaN基HEMT（H）的接地端（3）接地，所述GaN基HEMT（H）的型号为NRF01-02a HEMT管芯；所述的第九滤波电容（C9）、第十滤波电容（C10）和第十一滤波电容（C11）分别接在漏极电源（Vds）与地之间。

3.如权利要求1所述的一种基于GaN的宽带平衡功率放大器，其特征在于，所述的微带传输线（W）型号为100um的高阻抗微带传输线；所述的第八滤波电容（C8）和第十滤波电容（C10）选用100pF电容，所述的第七滤波电容（C7）和第九滤波电容（C9）选用100uF电解电容，所述的第六滤波电容（C6）和第十一滤波电容（C11）选用100uF穿心电容；所述GaN基HEMT（H1、H2）的型号为NRF01-02a HEMT管芯；所述Lange耦合器（L1、L2）选用特征阻抗为50Ω的四线3dB耦合Lange耦合器，该Lange耦合器（L1、L2）基于氧化铝陶瓷基片设计。