[发明专利]一种基于GaN的X波段功率放大器

权利要求书

1.一种基于GaN的X波段功率放大器，其特征在于，包括MIN电容、滤波电容、薄膜电阻、稳定电阻、螺旋电感、微带传输线、T型接头、GaN基HEMT组成；所述的信号输入端（RFIN）通过第一MIN电容（C1）、微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT（H）的输入端（1）相连；所述的第一螺旋电感（L1）接在第一MIN电容（C1）与地之间；所述的门极控制信号端（Vgs）通过第零稳定电阻（R0）、微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT的输入端（1）相连，所述的第二滤波电容（C2）接在门极控制信号端（Vgs）与地之间；所述的第四MIN电容（C4）接在GaN基HEMT（H）的输入端（1）与输出端（2）之间，所述的第一薄膜电阻（R1）与第五MIN电容（C5）串联，第四MIN电容（C4）与该串联电路并联；所述的第三MIN电容（C3）接在GaN基HEMT（H）的输入端（1）与接地端（3）之间；所述的第六MIN电容（C6）接在GaN基HEMT（H）的输出端（2）与接地端（3）之间；所述的GaN基HEMT（H）的输出端（2）通过T型接头（T）、微带传输线（W）、第八MIN电容（C8）与信号输出端（RFOUT）相连；所述的第二螺旋电感（L2）接在第八MIN电容（C8）与地之间；所述的漏极控制端（Vds）通过微带传输线（W）、T型接头（T）与GaN基HEMT的输出端（2）相连，所述的第七滤波电容（C7）接在漏极控制端（Vds）与地之间。

2.一种基于GaN的X波段功率放大器，其特征在于，所述的微带传输线（W）型号为100um的高阻抗微带传输线；所述的第二滤波电容（C2）和第七滤波电容（C7）选用100uF电解电容；所述GaN基HEMT（H）的型号为NRF01-02a HEMT管芯。

3.如权利要求1所述的一种基于GaN的X波段功率放大器，其特征在于，所述的第一螺旋电感（L1）选用760pH，Q值为22的螺旋电感，其线圈为6.5圈、内径为12um、线宽为4um、线间距为2um、线圈厚度为1.2um、衬底为12um厚SiC；所述的第二螺旋电感（L2）选用2.28nH、Q值为11.9的螺旋电感，其线圈为4.5圈、内径为10um、线宽为2um、线间距为2um、线圈厚度为1.2um、衬底为12um厚SiC。

4.如权利要求1所述的一种基于GaN的X波段功率放大器，其特征在于，所述的第一、第八MIN电容（C1、C8）选用型号为10PF的叉指电容，该电容的介质材料为0.2um厚度SiN，极板长20um、宽20um、厚1um，衬底SiC的厚度为10um；所述的第三、第四、第六MIN电容（C3、C4、C6）选用型号为1.696PF的叉指电容，该电容的介质材料为0.2um厚度SiN，极板长16um、宽15um、厚1um，衬底SiC的厚度为10um；所述的第五MIN电容（C5）选用型号为1.0uF的金属-半导体-金属电容。

5.如权利要求1所述的一种基于GaN的X波段功率放大器，其特征在于，所述的第零稳定电阻（R0）选用200Ω的半导体电阻；所述的第一薄膜电阻（R1）选用NiCr材料的100Ω电阻，宽度和长度为10um，厚度为25nm。