[发明专利]一种光探测器及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种光热电器件，包括衬底、活性层和电极；

其中，所述活性层位于所述衬底之上；

所述电极的个数至少为两个，且所述电极均位于所述活性层之上，每个电极的面积均小于所述活性层的面积，且所述电极之间均不接触；

构成所述活性层的材料的结构式如下：

其中：A为Na、K、Cu、C₁₄Me₃N或Bu₄N，Me＝-CH₃,Bu＝-(CH₂)₃CH₃)；

M＝Cu或Ni；

x为1-2，n＝100-10000。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：所述衬底选自玻璃和柔性衬底的至少一种；

构成所述电极的材料选自金属、合金、金属氧化物、重掺杂半导体和导电聚合物中的任意一种；

其中，所述金属为金、银、铝或铜；

所述合金材料为镁银合金、铂金合金或镍锌合金；

所述金属氧化物为氧化铟锡、二氧化锰或二氧化铅；

所述重掺杂半导体为磷掺杂的硅、硼掺杂的硅或砷掺杂的硅；所述磷、硼或砷的掺杂质量百分浓度均为1-3％；

所述导电聚合物为聚苯胺、聚吡咯或聚噻吩；其中，所述聚苯胺的数均分子量为450-10⁶；所述聚吡咯的数均分子量为300-10⁶；所述聚噻吩的数均分子量为400-10⁶。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于：所述聚苯胺的数均分子量为20000；所述聚吡咯的数均分子量为20000；所述聚噻吩的数均分子量为20000。

4.根据权利要求1或2所述的器件，其特征在于：所述衬底的厚度为0.001-1000mm；

所述活性层的厚度为0.01-1000μm；

所述电极的厚度均为10-3000nm。

5.一种制备权利要求1-4任一所述器件的方法，包括如下步骤：

1)在所述衬底上制备活性层；

2)在所述活性层上制备至少两个电极，并使每个电极的面积均小于所述活性层的面积，且所述电极之间均不接触，得到所述器件。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：制备所述电极的方法均为真空热蒸镀、磁控溅射或等离子体增强的化学气相沉积；

制备所述活性层的方法均为滴膜、喷墨打印、旋涂、提拉或蒸镀。

7.权利要求1-4任一所述光热电器件在光电探测中的应用。

8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于：所述光电探测为红外探测。

9.含有权利要求1-4任一所述光热电器件的光电探测器。

10.根据权利要求9所述的光电探测器，其特征在于：所述光电探测器为红外探测器。