[发明专利]一种高功率半导体激光器系统及其制备方法

权利要求书

1.一种高功率半导体激光器系统，包括半导体激光器芯片，半导体激光器芯片封装后连接正极和负极，其特征在于：所述半导体激光器芯片通过正负极分别与电流/电压监测装置、反馈电路和电源并联；所述电流/电压监测装置用于检测半导体激光器芯片两端的实际电流/电压，电源用于向半导体激光器芯片供电；所述反馈电路用于在设定的时间范围内控制电源暂停或开启。

2.根据权利要求1所述的高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述反馈电路是带有输入/输出脉冲信号的控制器。

3.根据权利要求2所述的高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述反馈电路包括时间控制单元，用于使反馈电路在小于1微秒时间内向电源发送反馈信号，使半导体激光器电源暂时停止工作；所述半导体激光器电源暂时停止工作至设定的时间后，反馈电路再次施加信号，使半导体激光器电源重新开始工作，驱动半导体激光器。

4.根据权利要求1至3任一所述的高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述半导体激光器芯片固定设置在散热装置上，所述散热装置为传导冷却制冷散热器、液体制冷散热器或TEC制冷散热器。

5.根据权利要求4所述的高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述半导体激光器芯片为单发光点半导体激光器芯片或多发光点半导体激光器芯片。

6.根据权利要求5所述的高功率半导体激光器系统，其特征在于：所述半导体激光器电源为电流源，包括连续电流源、准连续电流源和/或脉冲电流源。

7.一种制备如权利要求6所述高功率半导体激光器系统的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1]对高功率半导体激光器芯片进行封装将其用焊料焊接于热沉上，将封装后的高功率半导体激光器固定于散热装置上；

2]对高功率半导体激光器芯片连接正负极并且与半导体激光器电源串联连接；同时将封装的半导体激光器正负极与电流/电压监测装置并联连接，用于检测半导体激光器芯片两端的实际电流/电压；

3]将电流/电压监测装置与反馈电路串联连接，反馈电路还与电源串联连接。

8.根据权利要求7所述的高功率半导体激光器系统的制备方法，其特征在于：步骤1]中所述的半导体激光器芯片包括单发光点半导体激光器芯片、多发光点半导体激光器芯片。

9.根据权利要求8所述的高功率半导体激光器系统的制备方法，其特征在于：步骤1]中所述散热装置为传导冷却制冷散热器、液体制冷散热器或TEC制冷散热器。

10.根据权利要求9所述的高功率半导体激光器系统的制备方法，其特征在于：步骤2]述半导体激光器电源为电流源，包括连续电流源、准连续电流源和/或脉冲电流源。