[发明专利]PMOLED阵列基板及其制作方法、显示装置和掩模板

权利要求书

1.一种无源矩阵有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括：

位于衬底基板上的第一金属层，包括电极连接金属、第一跨线金属条、引线金属和第一引脚金属；

位于第一金属层之上且在电极连接金属、第一跨线金属条和第一引脚金属的上方分别具有过孔的绝缘层；

位于绝缘层之上的第二金属层，包括通过对应过孔与第一跨线金属条连接的第二跨线金属条，以及通过对应过孔与第一引脚金属连接的第二引脚金属；

位于第二金属层之上的透明导电层，包括与第二跨线金属条层叠设置的透明跨线条、与第二引脚金属层叠设置的透明引脚，以及通过对应过孔与电极连接金属连接的透明电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于透明导电层之上的像素界定层。

3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述无源矩阵有机发光二极管阵列基板为单色发光基板或彩色发光基板。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～3任一项所述的无源矩阵有机发光二极管阵列基板。

5.一种掩模板，其特征在于，包括第一构图部、第二构图部和第三构图部，其中：

所述第一构图部对应无源矩阵有机发光二极管阵列基板的显示区域，包括与像素单元对应的遮光单元；

所述第二构图部对应无源矩阵有机发光二极管阵列基板的显示区域且为全透光区；

所述第三构图部对应无源矩阵有机发光二极管阵列基板的周边区域，包括与引脚区对应的第一遮光区以及与跨线区对应的第二遮光区。

6.一种无源矩阵有机发光二极管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上通过第一构图工艺形成第一金属层图形；

在形成第一金属层图形的基板上通过第二构图工艺形成绝缘层图形；

使用如权利要求5所述掩模板的第二构图部和第三构图部在形成绝缘层图形的基板上通过第三构图工艺形成第二金属层图形；

使用如权利要求5所述掩模板的第一构图部和第三构图部在形成第二金属层图形的基板上通过第四构图工艺形成透明导电层图形。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述通过第三构图工艺形成第二金属层图形，具体包括：

使用所述掩模板的第二构图部对基板的显示区域进行曝光；

使用所述掩模板的第三构图部对基板的周边区域进行曝光。

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述通过第四构图工艺形成透明导电层图形，具体包括：

使用所述掩模板的第一构图部对基板的显示区域进行曝光；

使用所述掩模板的第三构图部对基板的周边区域进行曝光。

9.如权利要求6～8任一项所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成透明导电层图形的基板上通过第五构图工艺形成像素界定层图形。