[发明专利]闪存的制作方法在审
| 申请号： | 201410412986.3 | 申请日： | 2014-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN105355600A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 杨芸;李绍彬;仇圣棻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李志刚;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 制作方法 | ||
1.一种闪存的制作方法，所述闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，所述第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，所述第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，所述制作方法包括所述第一栅极单元的制作过程和所述第二栅极单元的制作过程，其特征在于，
在进行所述第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第二栅极或第二栅极单元；或者
在进行所述第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第一栅极或第一栅极单元
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供衬底；
进行所述第一栅极单元的制作过程；
在所述第一栅极单元上形成第一有机材料层；
在所述第一有机材料层上形成第一氧化层；
进行所述第二栅极单元的制作过程；以及
去除所述第一氧化层和所述第一有机材料层。
3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成第一栅极和第二栅极；
在所述第二栅极上形成第二有机材料层；
在所述第二有机材料层上形成第二氧化层；
进行所述第一栅极单元的制作过程中第一隔离件、第一源极区和第一漏极区的制作，得到所述第一栅极单元；
去除所述第二氧化层和所述第二有机材料层；
在所述第一栅极单元上形成第三有机材料层；
在所述第三有机材料层上形成第三氧化层；
进行所述第二栅极单元的制作过程中第二隔离件、第二源极区和第二漏极区的制作，得到所述第二栅极单元；以及
去除所述第三氧化层和所述第三有机材料层。
4.根据权利要求2或3所述的制作方法，其特征在于，所述衬底划分为存储单元区和外围电路区，所述制作方法在去除所述氧化层和所述有机材料之后还包括：在所述第一栅极单元和所述第二栅极单元沉积金属硅化物阻挡层的过程。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层的过程包括以下步骤：
在所述存储单元区的源极区和漏极区沉积所述金属硅化物阻挡层；以及
在所述外围电路区的栅极顶部、源极区和漏极区形成所述金属硅化物阻挡层。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一栅极位于所述存储单元区，所述第二栅极位于所述外围电路区，所述第一隔离件的宽度小于所述第二隔离件的宽度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
