[发明专利]一种背面钝化太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背面钝化太阳能电池，其特征在于，包括背电极、背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正电极，所述背电极、背电场、背面钝化层、P型硅、N型发射极、钝化膜和正电极依次相连；

其中，所述背面钝化层包括：

由原子层沉积形成的Al₂O₃层，所述Al₂O₃层与所述P型硅相连；以及

由等离子增强化学气相沉积形成的氮化硅层，所述氮化硅层与所述Al₂O₃层相连。

2.如权利要求1所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述Al₂O₃层的厚度与所述氮化硅层的厚度之比为1:（4-20）。

3.如权利要求1或2所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述原子层沉积在温度180-220℃、功率11-13KW的反应腔内进行，其中，一个原子层沉积周期包括：

使用流量为0.5-1.0g/min的三甲基铝产生化学吸附直到硅片表面饱和，形成一个单分子层；

通入流量为40-60slm的N₂气体吹扫，以去除反应腔内未结合的三甲基铝和副产物，确保硅片表面的饱和吸附层；

使用流量为2-4 slm的O₂或O₃与三甲基铝产生化学限制性反应形成Al₂O₃，通入Ar气体吹扫，以除去未结合的O₂或O₃，完成一个沉积周期。

4.如权利要求1或2所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述等离子增强化学气相沉积在温度400-450℃、压强1600-2000 mTor、等离子功率6000-7000 w的反应腔内进行，包括：

通入反应气体NH₃ 3.5-4.5 slm和SiH₄ 900-1100 sccm，反应时间200-230 s形成第一层氮化硅薄膜； 

改变NH₃和SiH₄流量，将NH₃流量设定为4.5-6.5 slm、将SiH₄流量设定为500-800 sccm，反应时间390-410s，形成第二层氮化硅薄膜。

5.如权利要求1所述的背面钝化太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层通过激光刻蚀形成孔或槽，所述背电场覆盖所述孔或槽，与所述P型硅直接接触；

所述孔或槽的面积占所述背面钝化层面积的3%-15%。

6. 一种制备权利要求1-5任一项所述的背面钝化太阳能电池的方法，其特征在于，包括：

在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；

在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；

去除扩散过程形成的磷硅玻璃；

在硅片背面通过原子层沉积形成Al₂O₃层；

在Al₂O₃层上通过等离子增强化学气相沉积形成氮化硅层，所述氮化硅层与Al₂O₃层叠合形成背面钝化层；

对背面钝化层进行局部激光刻蚀形成孔或槽，所述孔或槽穿透所述背面钝化层；

在所述硅片正面形成钝化膜；

在所述硅片背面形成背电场和背电极，所述背电场覆盖所述孔或槽，与所述硅片直接接触；

在所述硅片正面形成正电极；

将所述硅片进行烧结。