[发明专利]一种背钝化太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背钝化太阳能电池，其特征在于，包括背电极、背电场、背面钝化层、P+层、P型硅、N型发射极、减反膜和正电极； 

所述背面钝化层上涂覆硼源，对涂覆有硼源的背面钝化层通过激光刻蚀形成孔或槽并在所述孔或槽处形成P+层；

所述背电场覆盖所述孔或槽，与所述P+层直接接触。

2.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述硼源为硼酸三甲酯、三溴化硼、硼酸三丙酯或者氯化硼。

3.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，涂覆硼源的厚度为10-50μm。

4.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层包括：

与所述P型硅相连的Al₂O₃层或SiO₂层；

与所述Al₂O₃层或SiO₂层相连的氮化硅层。

5.如权利要求3所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为8-25 nm；

所述Al₂O₃层的厚度为3-25nm；

所述氮化硅层的厚度为80-120nm。

6.如权利要求1所述的背钝化太阳能电池，其特征在于，所述孔或槽的面积占所述背面钝化层面积的3%-25%。

7.一种制备如权利要求1-6任一项所述的背钝化太阳能电池的方法，其特征在于，包括：

在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；

在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；

去除扩散过程形成的磷硅玻璃；

在硅片背面形成背面钝化层；

在背面钝化层上涂覆硼源；

对涂覆硼源的背面钝化层进行局部激光刻蚀形成孔或槽，所述孔或槽穿透背面钝化层，同时所述激光将硼扩散进P型硅，形成P+层；

清洗掉残余的硼源，干燥硅片；

在硅片正面形成减反膜；

在硅片背面形成背电场和背电极，在硅片正面形成正电极；

将硅片进行烧结。

8.如权利要求7所述的背钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硼源通过旋涂的方式均匀的附着在硅片的背面，涂覆硼源的厚度为10-50μm；

所述硼源为硼酸三甲酯、三溴化硼、硼酸三丙酯或者氯化硼。

9.如权利要求7所述的背钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述背面钝化层包括：

与所述P型硅相连的Al₂O₃层或SiO₂层；

与所述Al₂O₃层或SiO₂层相连的氮化硅层；

其中，所述SiO₂层的厚度为8-25 nm；

所述Al₂O₃层的厚度为3-25nm；

所述氮化硅层的厚度为80-120nm。

10.如权利要求7所述的背钝化太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述孔或槽的面积占所述背面钝化层面积的3%-25%。