[发明专利]一种原位自生高体积分数Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410414061.2 申请日: 2014-08-21
公开(公告)号: CN104131190A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 尹健;马修军;周志坚;尧军平 申请(专利权)人: 南昌航空大学
主分类号: C22C1/03 分类号: C22C1/03;C22C23/02;C22C23/00;C22C32/00
代理公司: 南昌洪达专利事务所 36111 代理人: 刘凌峰
地址: 330063 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 原位 自生 体积 分数 mg sub si 增强 al 复合材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种金属材料技术领域的镁基复合材料的制备方法,具体地说,涉及的是一种原位自生高体积分数Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法。

背景技术

镁合金具有密度小、比强度高、比弹性模量高等优点,将镁合金应用于航天器和汽车等交通工具,使其轻量化具有重要意义。然而,镁合金的强度和抗蠕变性能较低,极大的限制了其应用范围。实践表明,在合金中引入硬质第二相颗粒而获得颗粒增强复合材料,可有效提高合金的强度和抗蠕变性能。Mg2Si 颗粒具有高熔点(1087℃)、高硬度(460 HV)、高弹性模量(120 GPa)和低密度(1.99 g·cm-3)、低热膨胀系数(7.5×10-6 K-1)等优点,是镁合金理想的颗粒增强相。通常,制备金属基颗粒增强复合材料过程中,引入增强颗粒相的方法有两种,一种是外加法,另一种是原位自生法。外加法引入增强相存在不足之处,比如界面结合问题、颗粒分布不均匀等。相比之下,原位自生法制备复合材料具有界面结合性好,增强颗粒分布均匀,不易引入外加污染,节约成本等特点,因此,原位自生法广泛应用于颗粒增强金属基复合材料的制备。于是,原位自生法也是制备Mg2Si增强Mg-Al基复合材料理想方法。

经对现有技术的文献检索发现,贾树卓等在《铸造技术》(2005年 26卷1104-1105,1108页)发表了题为“Mg-9Al-6Si 镁合金组织及性能研究”,提出在普通铸造方法制备原位自生法Mg2Si增强Mg-Al基复合材料,但该复合材料中初生 Mg2Si增强相为粗大树枝状,分布不均匀,极大地割裂了基体,恶化复合材料的性能。我们研究也表明,采用普通铸造方法制备原位自生Mg2Si增强Mg-Al基复合材料,当 Si 含量超过 2%,也就是说相应的 Mg2Si 体积分数超过 8% ,随着Si含量增加,初生 Mg2Si增强相含量增加,粗化更严重。因此,如何使粗大树枝状初生 Mg2Si相细化成颗粒状,是原位自生法Mg2Si增强Mg-Al基复合材料制备过程中需要解决的问题,尤其是含高体积分数Mg2Si的Mg-Al基复合材料的制备。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种原位自生Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的方法,主要解决高体积分数原位自生Mg2Si/Mg-Al基复合材料中初生 Mg2Si增强相呈粗大树枝状之不足,从而改善增强相的强化效果,使之更好应用于航空航天、国防军工等领域制备原位自生Mg2Si增强Mg-Al基复合材料。

本发明是通过以下技术方案实现的:

本发明所涉及的Mg2Si增强Mg-Al基复合材料,是原位自生Mg2Si增强Mg-Al基复合材料。该复合材料的成分结构式为Mg-9Al-xSi, 其中2<x<10,x为Si元素的质量百分数。

所述Mg、Al、Si元素纯度大于99.9%,

所述复合材料中 Mg2Si 体积分数为 8% 至 35%。

本发明所涉及的Mg2Si增强Mg-Al基复合材料的制备方法,包括以下步骤:

第一步,按照Mg-9Al-xSi(2<x<10)的比例准备镁、铝和硅粉原料;

所述硅粉粒度不大于1毫米。

第二步,将第一步的原料放入石墨坩埚由高频感应加热熔炼,熔炼中,感应炉功率逐渐将高频感应加热电流由150安培增加至500安培,实现对原料的缓慢加热,直至熔化,得到母合金锭。

所述熔炼,其过程维持在 50-60分钟:前15分钟电流为150安培,之后 20分钟电流为300安培,最后15-25分钟电流为500安培。 具体时间根据复合材料中Mg2Si 的体积分数而定,体积分数越高,加热时间越长。

所述熔炼以及熔化在密封腔室中进行,使用石墨坩埚,气氛为纯度大于99.99%的纯氩气氛,气氛压力为1个大气压。

第三步,将上述母合金锭放入石墨坩埚中,在电阻炉中重新加热至复合材料中基体全完熔化,并将温度升至一定温度保温 10 分钟。

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