[发明专利]一种多晶硅铸锭方法

说明书

技术领域

本发明涉及形核源技术领域，特别涉及一种多晶硅铸锭方法。

背景技术

形核源技术是高效多晶铸锭技术的应用基础，主要是通过在坩埚底部铺设一些形核材料，硅液熔化后在形核材料上形核，该形核材料可以使同质或者异质硅基材料，大小可以用10-200目不同的颗粒度。

形核源颗粒度的大小对形核技术有一定的相关性，增加颗粒度直接增加了底部形核源的粗糙度，提高晶粒质量。

但是，在现有坩埚底部形核源铸锭技术中，形核源颗粒度的不均匀性，在一定程度上增加了粘锅、裂锭的概率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种多晶硅铸锭方法，可以避免因形核源颗粒的加大或者不均匀性而粘锅、裂锭的情况出现。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种多晶硅铸锭方法，包括步骤S1铺设形核材料、S2填料和S3熔化长晶，步骤S1铺设形核材料包括：

S11、在光底坩埚底部喷涂第一层脱模剂，然后进入步骤S12；

S12、在第一层脱模剂上均匀撒上形核源材料，然后进入步骤S13；

S13、在形核源材料上喷洒粘接剂固化形核源材料和使之加强吸附在第一层脱模剂上，然后进入步骤S14；

S14、在喷洒过粘接剂的形核源材料上再喷第二层脱膜剂，然后进入步骤S2。

优选的，在步骤S11中，第一层脱模剂为氮化硅。

优选的，在步骤S14中，第二层脱膜剂为氮化硅。

优选的，在步骤S13中，形核源材料为硅、氧化硅或者碳化硅中的一种或者多种的混合。

优选的，在步骤S13中，形核源材料为硅粉和石英砂的混合物。

优选的，在步骤S13中，形核源材料的重量为50-500g。

从上述的技术方案可以看出，本发明提供的多晶硅铸锭方法，通过两层脱模剂来保护底部粘锅和形核，第一层脱模剂主要保护部分形核源过渡熔化而与石英坩埚粘连裂锭，第二层脱模剂主要用来保护双层脱模剂夹层中的形核源不被熔化达到有效形核。在第一层脱模剂的保护下，可以通过不断改变形核源的类型、颗粒度、重量等来优化晶锭底部初始形核，避免因形核源和熔化工艺研发过程中而带来的粘锅、裂锭。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的多晶硅铸锭方法的流程图。

具体实施方式

本发明公开了一种多晶硅铸锭方法，可以避免因形核源颗粒的加大或者不均匀性而粘锅、裂锭的情况出现。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1，图1为本发明实施例提供的多晶硅铸锭方法的流程图。

本发明实施例提供的多晶硅铸锭方法，包括步骤S1铺设形核材料、S2填料和S3熔化长晶等后续步骤，其核心改进点在于，步骤S1铺设形核材料具体包括：

S11、在光底坩埚底部喷涂第一层脱模剂，然后进入步骤S12；

S12、在第一层脱模剂上均匀撒上形核源材料，然后进入步骤S13；

S13、在形核源材料上喷洒一层特殊的粘接剂固化形核源材料和使之加强吸附在第一层脱模剂上，然后进入步骤S14；

S14、在喷洒过粘接剂的形核源材料上再喷第二层脱膜剂，然后进入步骤S2。

从上述的技术方案可以看出，本发明实施例提供的多晶硅铸锭方法，通过两层脱模剂来保护底部粘锅和形核，第一层脱模剂主要保护部分形核源过渡熔化而与石英坩埚粘连裂锭，第二层脱模剂主要用来保护双层脱模剂夹层中的形核源不被熔化达到有效形核。在第一层脱模剂的保护下，可以通过不断改变形核源的类型、颗粒度、重量等来优化晶锭底部初始形核，避免因形核源和熔化工艺研发过程中而带来的粘锅、裂锭。

作为优选，在步骤S11中，第一层脱模剂为氮化硅，具有热稳定性高、抗氧化能力强等特点。类似的，在步骤S14中，第二层脱膜剂为氮化硅。