[发明专利]非易失性存储器的制作方法及非易失性存储器

权利要求书

1.一种非易失性存储器的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

形成基体结构，所述基体结构包括衬底，依次形成于所述衬底上的氧化物层和第一栅极材料层，以及形成于所述第一栅极材料层上的至少一对第二栅极结构；

在各所述第二栅极结构的两侧侧壁上形成侧壁介质层，并在所述第一栅极材料层上形成牺牲介质层；

刻蚀所述牺牲介质层和所述第一栅极材料层至露出所述氧化物层；

去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述侧壁介质层和所述第一栅极材料层，并将剩余的所述第一栅极材料层作为第一栅极；

刻蚀所述氧化物层至露出所述衬底，并将剩余的所述氧化物层作为第一栅氧化物层。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述侧壁介质层和所述牺牲介质层的步骤包括：

形成覆盖所述第二栅极结构和所述第一栅极材料层的介质材料层；

刻蚀所述介质材料层，以将位于所述第二栅极结构的侧壁上的所述介质材料层作为所述侧壁介质层，并将位于所述第一栅极材料层上的所述介质材料层作为牺牲介质层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述介质材料层的工艺为干法刻蚀。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述介质材料层之后，采用原位刻蚀工艺刻蚀所述牺牲介质层和所述第一栅极材料层至露出所述氧化物层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述侧壁介质层和所述第一栅极材料层的步骤包括：

形成覆盖位于每对所述第二栅极结构的内侧的所述侧壁介质层和所述氧化物层的光刻胶层；

去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述侧壁介质层和所述第一栅极材料层；

去除所述光刻胶层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，去除所述侧壁介质层和所述第一栅极材料层的步骤中，先去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述第一栅极材料层，然后去除位于每对所述第二栅极结构的外侧的所述侧壁介质层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，去除所述第一栅极材料层的工艺为湿法刻蚀或干法刻蚀。

8.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，去除所述侧壁介质层的工艺为湿法刻蚀。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第二栅极结构包括栅介质层，形成于栅介质层上的第二栅极，以及形成于所述第二栅极和所述栅介质层的两侧侧壁上的偏移间隙壁。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述非易失性存储器为闪存器件，所述第一栅极为浮栅，所述第二栅极为控制栅。